MMBTA13数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

厂商型号 |
MMBTA13 |
参数属性 | MMBTA13 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为剪切带(CT)带盒(TB);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN DARL 30V 1.2A SOT23-3 |
功能描述 | NPN Silicon Darlington Transistors |
封装外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-12 12:15:00 |
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MMBTA13规格书详情
描述 Description
● High DC current gain
● High collector current
● Low collector-emitter saturation voltage
技术参数
- 产品编号:
MMBTA13
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
剪切带(CT)带盒(TB)
- 晶体管类型:
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
1.5V @ 100µA,100mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
10000 @ 100mA,5V
- 频率 - 跃迁:
125MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:
SOT-23-3
- 描述:
TRANS NPN DARL 30V 1.2A SOT23-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
长电 |
23+ |
SOT-23 |
50000 |
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询价 | ||
ON |
2016+ |
SOT23 |
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CJ/长晶 |
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SOT-23 |
360000 |
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SOT-23 |
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DIODES/美台 |
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NA |
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FSC |
23+ |
SOT23 |
30000 |
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SOT-23 |
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DIODES/美台 |
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SOT-23 |
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SOT-23 |
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DIODES/美台 |
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