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MMBT5551LT1	文件：199.8 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Transistors(NPN Silicon) High Voltage Transistors NPN Silicon Features • Pb−Free Packages are Available 文件：199.8 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT5551LT1	文件：165.54 Kbytes Page：4 Pages	High Voltage Transistors(NPN Silicon) High Voltage Transistors NPN Silicon 文件：165.54 Kbytes 页数：4 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
MMBT5551LT1	文件：199.8 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Transistors High Voltage Transistors NPN Silicon 文件：199.8 Kbytes 页数：6 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
MMBT5551LT1	文件：38.95 Kbytes Page：1 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES Power dissipation PCM: 0.3 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 0.6 A Collector-base voltage V(BR)CBO: 180 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：38.95 Kbytes 页数：1 Pages	AVICTEK	AVICTEK
MMBT5551LT1	文件：41.04 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The MMBT5551LT1 is designed for general purpose applications requiring high Breakdown Voltages. 文件：41.04 Kbytes 页数：3 Pages	TGS	TGS
MMBT5551LT1	文件：153.2 Kbytes Page：2 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR ● Collector Dissipation:Pc-225mW(Ta=25°) ● Collector-Emiller Voltage: VCEO=160V 文件：153.2 Kbytes 页数：2 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
MMBT5551LT1G	文件：183.57 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Transistors High Voltage Transistors NPN Silicon Features • S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 文件：183.57 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT5551LT3G	文件：183.57 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Transistors High Voltage Transistors NPN Silicon Features • S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 文件：183.57 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT5551L-X-AE3-6-R	文件：51.5 Kbytes Page：4 Pages	HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR ■ FEATURES * High Collector-Emitter Voltage: VCEO=160V * High current gain 文件：51.5 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
MMBT5551LT1	文件：97.56 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Transistors 文件：97.56 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Polarity：
NPN
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
0.2
IC Cont. (A)：
0.6
VCEO Min (V)：
160
VCBO (V)：
180
VEBO (V)：
6
VBE(sat) (V)：
1
hFE Min：
80
hFE Max：
250
PTM Max (W)：
0.225
Package Type：
SOT-23-3

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