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MMBT3906WT1G	文件：166.33 Kbytes Page：12 Pages	General Purpose Transistors 文件：166.33 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT3906W	文件：300 bytes Page：1 Pages	通用双极晶体管 The NPN Bipolar Transistor is designed for general purpose amplifier applications. It is housed in the SOT-323/SC-70, which is designed for low power surface mount applications. • Low rDS(on) Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life\n• Miniature SC-70/SOT-323 Surface Mount Package Saves Board Space\n• Pb-Free Packages are Available\n• S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified a;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT3906W	文件：300 bytes Page：1 Pages	通用型双极晶体管	Panjit 強茂	Panjit
MMBT3906WT1	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistors	Willas 威伦电子	Willas
MMBT3906W_R1_00001	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-70，SOT-323；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 40V 0.2A SOT323	Panjit International Inc.	Panjit International Inc.
MMBT3906WT1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS SS GP PNP 40V SOT323	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT3906WT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-70，SOT-323；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 40V 0.2A SC70-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Polarity：
PNP
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
0.4
IC Cont. (A)：
0.2
VCEO Min (V)：
40
VCBO (V)：
40
VEBO (V)：
5
VBE(sat) (V)：
0.95
hFE Min：
100
hFE Max：
300
fT Min (MHz)：
250
PTM Max (W)：
0.15
Package Type：
SC-70-3/SOT-323-3

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