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MMBT3906WT1	文件：455.96 Kbytes Page：9 Pages	General Purpose Transistors(NPN and PNP Silicon) These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT–323/SC–70 which is designed for low power surface mount applications. 文件：455.96 Kbytes 页数：9 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
MMBT3906WT1	文件：423.22 Kbytes Page：12 Pages	General Purpose Transistor General Purpose Transistor NPN and PNP Silicon These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT–323/SC–70 which is designed for low power surface mount applications. 文件：423.22 Kbytes 页数：12 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
MMBT3906WT1	文件：296.73 Kbytes Page：12 Pages	GENERAL PURPOSE AMPLIFIER TRANSISTORS SURFACE MOUNT General Purpose Transistors NPN and PNP Silicon These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT−323/SC−70 package which is designed for low power surface mount applications. Features • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • S Prefix for Aut 文件：296.73 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT3906WT1	文件：236.25 Kbytes Page：12 Pages	General Purpose Transistors NPN and PNP Silicon These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT−323/SC−70 package which is designed for low power surface mount applications. Features • S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC 文件：236.25 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT3906WT1G	文件：134.38 Kbytes Page：13 Pages	General Purpose Transistors General Purpose Transistors NPN and PNP Silicon These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT−323/SC−70 package which is designed for low power surface mount applications. Features • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • S Prefix for Aut 文件：134.38 Kbytes 页数：13 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT3906WT1G	文件：236.25 Kbytes Page：12 Pages	General Purpose Transistors NPN and PNP Silicon These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT−323/SC−70 package which is designed for low power surface mount applications. Features • S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC 文件：236.25 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT3906W_10	文件：128.8 Kbytes Page：4 Pages	PNP GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR 文件：128.8 Kbytes 页数：4 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
MMBT3906W_15	文件：449.7 Kbytes Page：5 Pages	General Purpose Transistor 文件：449.7 Kbytes 页数：5 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
MMBT3906W_15	文件：830.36 Kbytes Page：2 Pages	PNP Transistors 文件：830.36 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
MMBT3906WT1	文件：166.33 Kbytes Page：12 Pages	General Purpose Transistors 文件：166.33 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Polarity：
PNP
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
0.4
IC Cont. (A)：
0.2
VCEO Min (V)：
40
VCBO (V)：
40
VEBO (V)：
5
VBE(sat) (V)：
0.95
hFE Min：
100
hFE Max：
300
fT Min (MHz)：
250
PTM Max (W)：
0.15
Package Type：
SC-70-3/SOT-323-3

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