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MMDT3906	文件：240.65 Kbytes Page：2 Pages	Multi-ChipTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
MMDT3906	文件：109.38 Kbytes Page：2 Pages	PNPSmallSignalSurfaceMountTransistors Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •IdealforLowPowerAmplificationandSwitching •Ultra-smallSurfaceMountPackage •EpitaxialPlanarDieConstruction •Epo	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMDT3906	文件：174.83 Kbytes Page：4 Pages	DUALPNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •IdealforLowPowerAmplificationandSwitching •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LeadFree/RoHSCompliant(Note2) •GreenDevice(Note3and4)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMDT3906	文件：256.25 Kbytes Page：2 Pages	PNPSmallSignalSurfaceMountTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMDT3906	文件：121.58 Kbytes Page：4 Pages	DUALPNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTCMMDT3906isaDualPNPsmallsignalsurfacemounttransistor.It’ssuitableforlowpoweramplificationandswitch. FEATURES SuitableforLowPowerAmplificationandSwitching EpitaxialPlanarDieConstruction *Extremely-SmallSurfaceMountPackage	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
MMDT3906	文件：446.77 Kbytes Page：7 Pages	40VDUALPNPSMALLSIGNALTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMDT3906	文件：285.08 Kbytes Page：2 Pages	PNPSmallSignalSurfaceMountTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMDT3906	文件：4.06776 Mbytes Page：4 Pages	DUALTRANSISTOR(PNPPNP) DUALTRANSISTOR(PNP+PNP) FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction ●Idealforlowpoweramplificationandswitching	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
MMDT3906	文件：176.23 Kbytes Page：1 Pages	Multi-ChipTRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:0.2W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-0.2A Collector-basevoltageV(BR)CBO:-40V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
MMDT3906	文件：148.79 Kbytes Page：4 Pages	DualPNPSmallSignalSurfaceMountTransistor	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN

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技术参数

AEC Qualified：
NO
Pb Free：
YES
Halide free：
YES
Reach：
YES
RoHS：
YES
Marketing Status：
Active
Polarity：
PNP
V(BR)CEO(V)min.：
40
IC(A)：
0.2
hFEmin.：
100
hFEmax.：
300
VCE (sat)(V)：
0.3
IB(mA)：
5
fT(MHz)min.：
250
PD(W)max.：
2.1
TJ(°C)max.：
150
TJ(°C)min.：
-55
ECCN(US)：
EAR99
Category：
双极型晶体管

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