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MMBT3906T	文件：983.24 Kbytes Page：2 Pages	PNPPlastic-EncapsulateTransistors FEATURES •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryNPNTypeAvailable •AlsoAvailableinLeadFreeVersion	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
MMBT3906T	文件：207.99 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES EpitaxialPlanarDieConstruction ComplementaryNPNTypeAvailable AlsoAvailableinLeadFreeVersion	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
MMBT3906TB	文件：479.32 Kbytes Page：5 Pages	PNPGeneralPurposeSwitchingTransistor Features PNPepitaxialsilicon,planardesign Collector-EmitterVoltageVCE=-40V CollectorCurrentIC=-200mA LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC61249Standard	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
MMBT3906-TP	文件：367.48 Kbytes Page：5 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMBT3906T-TP	文件：120.71 Kbytes Page：4 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •SurfaceMountSOT-523Package •EpitaxialPlanarDieConstruction •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Marking:3N •Halogenfreeavailableupon	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMBT3906W	文件：284.95 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistorPNPSilicon GeneralPurposeTransistor PNPSilicon	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
MMBT3906W	文件：52.61 Kbytes Page：2 Pages	GeneralPurposeTransistor Features •Generalpurposetransistor. •Pb?Freepackageisavailable.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
MMBT3906W	文件：449.69 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeTransistor FEATURES •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryNPNTypeAvailable(MMBT3904W) •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
MMBT3906W	文件：115.33 Kbytes Page：4 Pages	PNPGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR VOLTAGE40VoltsPOWER150mWatts FEATURES •PNPepitaxialsilicon,planardesign •Collector-emittervoltageVCE=-40V •CollectorcurrentIC=-200mA •BothnormalandPbfreeproductareavailable: Normal:80~95Sn,5~20Pb Pbfree:98.5Snabove	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
MMBT3906W	文件：662.93 Kbytes Page：4 Pages	PNPTransistor ■Features ●CollectorCurrentCapabilityIC=-0.2A ●CollectorEmitterVoltageVCEO=-40V ●ComplementarytoMMBT3904W)	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE

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详细参数

型号：
MMBT3906R
制造商：
TSC
制造商全称：
Taiwan Semiconductor Company, Ltd
功能描述：
350mW, PNP Small Signal Transistor

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