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MMBT2222AW	文件：407.2 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarMediumPowerTransistor	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
MMBT2222FW	文件：268.95 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeTransistor FEATURES ●EpitaxialPlanarDieConstruction ●ComplementaryPNPTypeAvailable(MMBT2907FW) ●IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
MMBT2222L	文件：181.04 Kbytes Page：8 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors NPNSilicon Features •Pb−FreePackageMaybeAvailable.TheG−SuffixDenotesa Pb−FreeLeadFinish	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT2222L	文件：165.55 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors NPNSilicon Features •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101Qualifiedand PPAPCapable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT2222L	文件：227.33 Kbytes Page：9 Pages	GeneralPurposeTransistorsNPNSilicon Features •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101Qualifiedand PPAPCapable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT2222Q	文件：257.269 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistor FEATURES Powerdissipation PCM:1WTamb=25 Collectorcurrent ICM:0.6A Collector-basevoltage V(BR)CBO:75V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJTstg:-55to+150	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
MMBT2222T	文件：1.09407 Mbytes Page：3 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandamplifierapplications	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
MMBT2222T	文件：248.57 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarMediumPowerTransistor	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
MMBT2222W	文件：258.67 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarMediumPowerTransistor NPNSiliconEpitaxialPlanarMediumPowerTransistorforswitchingandamplifierapplications	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
MMBT2222W	文件：407.2 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarMediumPowerTransistor	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI

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产品属性

产品编号：
MMBT2222AT-TP
制造商：
Micro Commercial Co
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
75 @ 10mA，10V
频率 - 跃迁：
300MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOT-523
供应商器件封装：
SOT-523
描述：
TRANS NPN 40V 0.6A SOT523

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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