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MJE2955T	文件：37.22 Kbytes Page：4 Pages	General Purpose and Switching Applications General Purpose and Switching Applications • DC Current Gain Specified to IC= 10 A • High Current Gain Bandwidth Product : fT = 2MHz (Min.) 文件：37.22 Kbytes 页数：4 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
MJE2955T	文件：143.95 Kbytes Page：4 Pages	Complementary Silicon Plastic Power Transistors 10 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 60 VOLTS −75 WATTS MJE2955T (PNP) MJE3055T (NPN) These devices are designed for use in general−purpose amplifier and switching applications. Features • DC Current Gain Specified to 10 A • High Current Gain −Bandwidth Product −fT= 2.0 MHz (Min 文件：143.95 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJE2955T	文件：93.74 Kbytes Page：2 Pages	HIGH VOLTAGE TRANSISTOR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC MJE2955Tis designed for general purpose of amplifier and switching applications. 文件：93.74 Kbytes 页数：2 Pages	UTC 友顺	UTC
MJE2955T	文件：279.05 Kbytes Page：3 Pages	PLASTIC POWER TRANSISTORS PLASTIC POWER TRANSISTORS With excellent Safe Operating Area, ideal for Hi-Fi Amplifier and Switching Regulator Applications 文件：279.05 Kbytes 页数：3 Pages	CDIL	CDIL
MJE2955T	文件：47.25 Kbytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS Power Transistors 文件：47.25 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
MJE2955T	文件：123.69 Kbytes Page：3 Pages	POWER TRANSISTORS(10A,60V,75W) COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS. 文件：123.69 Kbytes 页数：3 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
MJE2955T	文件：129.259 Kbytes Page：4 Pages	10 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 60 VOLTS 75 WATTS Complementary Silicon Plastic Power Transistors . . . designed for use in general–purpose amplifier and switching applications. • DC Current Gain Specified to 10 Amperes • High Current Gain — Bandwidth Product — fT = 2.0 MHz (Min) @ IC = 500 mAdc 文件：129.259 Kbytes 页数：4 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
MJE2955T_03	文件：61.49 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS ■ STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPES ■ COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES DESCRIPTION The MJE3055T is a silicon Epitaxial-Base NPN transistor in Jedec TO-220 package. It is intended for power switching circuits and general-purpose amplifiers. The complementary PNP type is MJE2955T. 文件：61.49 Kbytes 页数：4 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
MJE2955TG	文件：143.95 Kbytes Page：4 Pages	Complementary Silicon Plastic Power Transistors 10 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 60 VOLTS −75 WATTS MJE2955T (PNP) MJE3055T (NPN) These devices are designed for use in general−purpose amplifier and switching applications. Features • DC Current Gain Specified to 10 A • High Current Gain −Bandwidth Product −fT= 2.0 MHz (Min 文件：143.95 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJE2955TPNP	文件：279.05 Kbytes Page：3 Pages	PLASTIC POWER TRANSISTORS PLASTIC POWER TRANSISTORS With excellent Safe Operating Area, ideal for Hi-Fi Amplifier and Switching Regulator Applications 文件：279.05 Kbytes 页数：3 Pages	CDIL	CDIL

晶体管资料

型号：
MJE2955
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
70V
最大电流允许值：
10A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD208,BD214/80,BD608,
最大耗散功率：
90W
放大倍数：
图片代号：
B-21
vtest：
70
htest：
999900
atest：
10
wtest：
90

技术参数

PCM(W)：
2
IC(A)：
10
VCBO(V)：
70
VCEO(V)：
60
VEBO(V)：
5
hFEMin：
20
hFEMax：
100
hFE@VCE(V)：
4
hFE@IC(A)：
4
VCE(sat)(V)：
8
VCE(sat)\u001E@IC(A)：
10
VCE(sat)\u001E@IB(A)：
3.3
Package：
TO-220-3L

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