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MJE200	文件：42.12 Kbytes Page：4 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor Feature • Low Collector-Emitter Saturation Voltage • High Current Gain Bandwidth Product : fT=65MHz @ IC=100mA (Min.) • Complement to MJE210 文件：42.12 Kbytes 页数：4 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
MJE200	文件：255.72 Kbytes Page：6 Pages	POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON Complementary Silicon Power Plastic Transistors These devices are designed for low voltage, low-power, high-gain audio amplifier applications. Features • Collector-Emitter Sustaining Voltage - VCEO(sus) = 25 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc • High DC Current Gain - hFE = 70 (Min) @ IC = 500 mAdc 文件：255.72 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJE200	文件：339.37 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR MJE200, MJE210 types are complementary silicon transistors designed for high gain amplifier applications. 文件：339.37 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
MJE200	文件：255.72 Kbytes Page：6 Pages	5 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 25 VOLTS 15 WATTS Complementary Silicon Power Plastic Transistors . . . designed for low voltage, low–power, high–gain audio amplifier applications. • Collector–Emitter Sustaining Voltage — VCEO(sus) = 25 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc • High DC Current Gain — hFE = 70 (Min) @ IC = 500 mAdc High 文件：255.72 Kbytes 页数：6 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
MJE200	文件：242.53 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Low Collector–Emitter Saturation Voltage- • DC Current Gain-Bandwidth Product • High DC Current Gain • Complement to MJE210 APPLICATIONS • Designed for low voltage, low-power, high-gain audio amplifier applications. 文件：242.53 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MJE200	文件：811.73 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN transistor in a TO-126F Plastic Package. Descriptions Silicon NPN transistor in a TO-126F Plastic Package. Features Low collector-emitter saturation voltage, high current gain bandwidth product, Complement to MJE210. Applications Designed for general audio amplifier applications. 文件：811.73 Kbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
MJE200	文件：120.99 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Silicon Power Plastic Transistors 文件：120.99 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJE200	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 25V 5A 3-Pin TO-225 Bulk	NJS 新泽西半导体	NJS
MJE200	文件：300 bytes Page：1 Pages	Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch	Central	Central
MJE200	文件：300 bytes Page：1 Pages	双极晶体管	BlueRocket 蓝箭电子	BlueRocket

晶体管资料

型号：
MJE200
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
25V
最大电流允许值：
5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD185,BD195,3DA99B,
最大耗散功率：
15W
放大倍数：
图片代号：
B-21
vtest：
25
htest：
999900
atest：
5
wtest：
15

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Polarity：
NPN
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
1.8
IC Cont. (A)：
5
VCEO Min (V)：
40
VEBO (V)：
8
VBE(sat) (V)：
2.5
VBE(on) (V)：
1.6
hFE Min：
45
hFE Max：
180
fT Min (MHz)：
65
PTM Max (W)：
15
Package Type：
TO-225-3

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