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MJE2003	文件：143.77 Kbytes Page：3 Pages	PLASTIC MEDIUM-POWER COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS PLASTIC MEDIUM-POWER COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS Designed for use in driver and output stages in complementary audio amplifier applications. • High DC Current Gain - hFE = 750 (Win) @ IC = 30 and 40 Adc • True Three Lead Monolithic Construction —Emitter-Base Resistors to Prevent L 文件：143.77 Kbytes 页数：3 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
MJE200G	文件：170.29 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Silicon Power Plastic Transistors These devices are designed for low voltage, low−power, high−gain audio amplifier applications. Features • High DC Current Gain • Low Collector−Emitter Saturation Voltage • High Current−Gain − Bandwidth Product • Annular Construction for Low Leakage • These Devices are Pb−Free and are RoHS Co 文件：170.29 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJE200_07	文件：120.99 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Silicon Power Plastic Transistors 文件：120.99 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJE200G	文件：120.99 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Silicon Power Plastic Transistors 文件：120.99 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJE200G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-225AA，TO-126-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 40V 5A TO126	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJE200STU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-225AA，TO-126-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 25V 5A TO126-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJE200TSTU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-225AA，TO-126-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 25V 5A TO126-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
MJE200
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
25V
最大电流允许值：
5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD185,BD195,3DA99B,
最大耗散功率：
15W
放大倍数：
图片代号：
B-21
vtest：
25
htest：
999900
atest：
5
wtest：
15

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Polarity：
NPN
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
1.8
IC Cont. (A)：
5
VCEO Min (V)：
40
VEBO (V)：
8
VBE(sat) (V)：
2.5
VBE(on) (V)：
1.6
hFE Min：
45
hFE Max：
180
fT Min (MHz)：
65
PTM Max (W)：
15
Package Type：
TO-225-3

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