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MJD127T4	文件：284.04 Kbytes Page：8 Pages	SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 100 VOLTS 20 WATT Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. • Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix) • Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“–1” Suffix) • Lead Formed Version Available in 16 mm Tape and Reel (“T4” Suffix) • Sur 文件：284.04 Kbytes 页数：8 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
MJD127T4	文件：91.56 Kbytes Page：8 Pages	COMPLEMENTARY POWER DARLINGTON TRANSISTORS DESCRIPTION The MJD122 and MJD127 form complementary NPN - PNP pair. They are manufactured using Epitaxial Base technology for cost-effective performance. ■ STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPES ■ LOW BASE-DRIVE REQUIREMENTS ■ INTEGRATED ANTIPARALLEL COLLECTOR-EMITTER DIODE ■ THROUGH HOLE T 文件：91.56 Kbytes 页数：8 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
MJD127T4	文件：91.56 Kbytes Page：8 Pages	COMPLEMENTARY POWER DARLINGTON TRANSISTORS DESCRIPTION The MJD122 and MJD127 form complementary NPN - PNP pair. They are manufactured using Epitaxial Base technology for cost-effective performance. ■ STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPES ■ LOW BASE-DRIVE REQUIREMENTS ■ INTEGRATED ANTIPARALLEL COLLECTOR-EMITTER DIODE ■ THROUGH HOLE T 文件：91.56 Kbytes 页数：8 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
MJD127TF	文件：56.54 Kbytes Page：5 Pages	D-PAK for Surface Mount Applications D-PAK for Surface Mount Applications • High DC Current Gain • Built-in a Damper Diode at E-C • Lead Formed for Surface Mount Applications (No Suffix) • Straight Lead (I-PAK, “ - I “ Suffix) • Electrically Similar to Popular TIP127 • Complement to MJD122 文件：56.54 Kbytes 页数：5 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
MJD127_13	文件：373.76 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP epitaxial planer Transistors 文件：373.76 Kbytes 页数：3 Pages	MCC	MCC
MJD127_17	文件：317.91 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Darlington Power Transistor 文件：317.91 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MJD127G	文件：87.53 Kbytes Page：7 Pages	Complementary Darlington Power Transistor 文件：87.53 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJD127G	文件：136.31 Kbytes Page：7 Pages	Complementary Darlington Power Transistor 文件：136.31 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJD127G	文件：106.5 Kbytes Page：8 Pages	Complementary Darlington Power Transistor 文件：106.5 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJD127T4	文件：87.53 Kbytes Page：7 Pages	Complementary Darlington Power Transistor 文件：87.53 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
MJD127
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Darl
性质：
低频或音频放大（LF）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
最大电流允许值：
8A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
20W
放大倍数：
图片代号：
G-127
vtest：
0
htest：
999900
atest：
8
wtest：
20

技术参数

Marketing Status：
Active
Grade：
Industrial
Transistor Polarity：
PNP
Collector-Emitter Voltage_max(V)：
100
Collector-Base Voltage_max(V)：
100
Collector Current_abs_max(A)：
5
Dc Current Gain_min：
1000
Dc Current Gain_max：
12000
Test Condition for hFE (IC)：
4
Test Condition for hFE (VCE)_spec(V)：
4
VCE(sat)_max(V)：
2
Test Condition for VCE(sat) - IC：
4
Test Condition for VCE(sat) - IB_spec(mA)：
16

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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