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MJD127	文件：56.54 Kbytes Page：5 Pages	D-PAK for Surface Mount Applications D-PAKforSurfaceMountApplications •HighDCCurrentGain •Built-inaDamperDiodeatE-C •LeadFormedforSurfaceMountApplications(NoSuffix) •StraightLead(I-PAK,“-I“Suffix) •ElectricallySimilartoPopularTIP127 •ComplementtoMJD122	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MJD127	文件：360.31 Kbytes Page：2 Pages	Marking：D-PAK；Package：TO-252；PNP Silicon Darlington Transistor FEATURES •HighDCCurrentGain •ElectricallySimilartoPopularTIP127 •Built-inaDamperDiodeatE-C WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements.	FS First Silicon Co., Ltd	FS
MJD127	文件：2.32459 Mbytes Page：5 Pages	Marking：MJD127；Package：TO-252-2L；TO-252-2L Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES HighDCCurrentGain ElectricallySimilartoPopularTIP127 Built-inaDamperDiodeatE-C	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
MJD127	文件：300.34 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·LowCollector-Emittersaturationvoltage ·Leadformedforsurfacemountapplications ·HighDCcurrentgain APPLICATIONS ·Designedforgeneralpurposeamplifier andlowspeedswitchingapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJD127	文件：281.37 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·LowCollector-Emittersaturationvoltage ·Leadformedforsurfacemountapplications ·HighDCcurrentgain APPLICATIONS ·Designedforgeneralpurposeamplifier andlowspeedswitchingapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJD127	文件：69.15 Kbytes Page：4 Pages	D-PAK for Surface Mount Applications •HighDCCurrentGain •Built-inaDamperDiodeatE-C •LeadFormedforSurfaceMountApplications(NoSuffix) •StraightLead(I-PAK,“-I“Suffix) •ElectricallySimilartoPopularTIP127 •ComplementtoMJD122	SYC SYC Electronica	SYC
MJD127	文件：137.52 Kbytes Page：8 Pages	Complementary Darlington Power Transistors Features •D-PAKforSurfaceMountApplications •HighDCCurrentGain •Built-inaDamperDiodeatE-C •LeadFormedforSurfaceMountApplications •ElectricallySimilartoPopularTIP122 •ComplementtoMJD127	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MJD127	文件：373.76 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP epitaxial planer Transistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MJD127	文件：317.91 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Darlington Power Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJD127	文件：87.53 Kbytes Page：7 Pages	Complementary Darlington Power Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
MJD127
功能描述：
达林顿晶体管 8A 100V Bipolar
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
配置：
Octal
晶体管极性：
NPN 集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
集电极—基极电压
最大直流电集电极电流：
0.5 A
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOIC-18
封装：
Reel

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