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MJD127	文件：357.99 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP epitaxial planer Transistors Features • High DC Current Gain • Built-in a Damper Diode at E-C • Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix -HF • Moisture Sensitivity Level 1 • Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating • Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix Designates RoHS Compliant. See Ordering Infor 文件：357.99 Kbytes 页数：3 Pages	MCC	MCC
MJD127	文件：284.04 Kbytes Page：8 Pages	SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 100 VOLTS 20 WATT Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. • Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix) • Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“–1” Suffix) • Lead Formed Version Available in 16 mm Tape and Reel (“T4” Suffix) • Sur 文件：284.04 Kbytes 页数：8 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
MJD127	文件：246.8 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Low Collector-Emitter saturation voltage • Lead formed for surface mount applications • High DC current gain • 100 tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS • Designed for general purpose amplifier and low spee 文件：246.8 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MJD127	文件：300.34 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Low Collector-Emitter saturation voltage ·Lead formed for surface mount applications ·High DC current gain APPLICATIONS ·Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. 文件：300.34 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MJD127	文件：281.37 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Low Collector-Emitter saturation voltage ·Lead formed for surface mount applications ·High DC current gain APPLICATIONS ·Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. 文件：281.37 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MJD127	文件：1.541 Mbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR (PNP) TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● High DC Current Gain ● Electrically Similar to Popular TIP127 ● Built-in a Damper Diode at E-C 文件：1.541 Mbytes 页数：3 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
MJD127	文件：205.51 Kbytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS Hammer Drivers,Audio Amplifiers Applications Power Linear and Switching Applications 文件：205.51 Kbytes 页数：1 Pages	TGS	TGS
MJD127	文件：317.91 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Darlington Power Transistor 文件：317.91 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MJD127	文件：373.76 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP epitaxial planer Transistors 文件：373.76 Kbytes 页数：3 Pages	MCC	MCC
MJD127	文件：136.31 Kbytes Page：7 Pages	Complementary Darlington Power Transistor 文件：136.31 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Marketing Status：
Active
Grade：
Industrial
Transistor Polarity：
PNP
Collector-Emitter Voltage_max(V)：
100
Collector-Base Voltage_max(V)：
100
Collector Current_abs_max(A)：
5
Dc Current Gain_min：
1000
Dc Current Gain_max：
12000
Test Condition for hFE (IC)：
4
Test Condition for hFE (VCE)_spec(V)：
4
VCE(sat)_max(V)：
2
Test Condition for VCE(sat) - IC：
4
Test Condition for VCE(sat) - IB_spec(mA)：
16

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更多MJD127供应商更新时间2025-10-13 23:00:00

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