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MJD122T4G	文件：136.31 Kbytes Page：7 Pages	Complementary Darlington Power Transistor 文件：136.31 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJD122-1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJD122G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJD122RLG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
MJD122
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Darl
性质：
低频或音频放大（LF）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
最大电流允许值：
8A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
20W
放大倍数：
图片代号：
G-127
vtest：
0
htest：
999900
atest：
8
wtest：
20

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Polarity：
NPN
IC Continuous (A)：
8
V(BR)CEO Min (V)：
100
VCE(sat) Max (V)：
2
hFE Min (k)：
1
hFE Max (k)：
12
fT Min (MHz)：
4
Package Type：
DPAK-3

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