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MJD112L中文资料Darlington transistor, IPAK, 100V, 2A数据手册KEC规格书

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厂商型号

MJD112L

功能描述

Darlington transistor, IPAK, 100V, 2A

制造商

KEC KEC(Korea Electronics)

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-10-2 22:59:00

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MJD112L规格书详情

特性 Features

• High DC Current Gain.
• Low Collector-Emitter Saturation Voltage

应用 Application

• Monolithic Construction with Built in Base-Emitter Shunt Resistors Industrial Use.

技术参数

  • 制造商编号

    :MJD112L

  • 生产厂家

    :KEC

  • AEC-Q

    :N

  • Package

    :IPAK

  • Polarity

    :NPN

  • VCEO[V]

    :100

  • IC[A]

    :2

  • PC[W]

    :1

  • hFE_Min

    :1000

  • VCE(SAT)_MAX[V]

    :2

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