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MJ11032

300W NPN Darlington BJT Transistor

This BJT is packaged in TO-3 package.\n\n Available as High Reliability device per MIL-PRF-19500 indicate –HR suffix after the part number. Contact for -HR flow. Add \"PBF\" suffix for Pb-free lead finish.

Digitron

MJ11032

Bipolar Junction Transistors

TT Electronics

MJ11032

Trans Darlington NPN 120V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray

NJS

NJS

MJ11032

Package:TO-204AE;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN DARL 120V 50A TO204

ONSEMI

安森美半导体

MJ11032-33

High-Current Complementary Silicon Power Transistors

文件:155.77 Kbytes 页数:4 Pages

SYC

MJ11032G

High-Current Complementary Silicon Power Transistors

文件:121.71 Kbytes 页数:4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJ11032G

High?묬urrent Complementary Silicon Power Transistors

文件:68.44 Kbytes 页数:4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJ11032G

Package:TO-204AE;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN DARL 120V 50A TO204

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    MJ11032

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    3.5V @ 500mA,50A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    2mA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 25A,5V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-204AE

  • 供应商器件封装:

    TO-204(TO-3)

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 120V 50A TO204

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
M
24+
TO 3
157341
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ONSEMI/安森美
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原装正品,假一罚十
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18000
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MOT
24+
TO-3
10000
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MOT/ON
24+
TO-3
250
原装现货假一罚十
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更多MJ11032供应商 更新时间2025-12-1 19:10:00