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MJ11032

300W NPN Darlington BJT Transistor

This BJT is packaged in TO-3 package.\n\n Available as High Reliability device per MIL-PRF-19500 indicate –HR suffix after the part number. Contact for -HR flow. Add \"PBF\" suffix for Pb-free lead finish.

Digitron

MJ11032

Bipolar Junction Transistors

TT Electronics

MJ11032

Trans Darlington NPN 120V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray

NJS

NJS

MJ11032

Package:TO-204AE;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN DARL 120V 50A TO204

ONSEMI

安森美半导体

MJ11032-33

High-Current Complementary Silicon Power Transistors

文件:155.77 Kbytes 页数:4 Pages

SYC

MJ11032G

High?묬urrent Complementary Silicon Power Transistors

文件:68.44 Kbytes 页数:4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJ11032G

High-Current Complementary Silicon Power Transistors

文件:121.71 Kbytes 页数:4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJ11032G

Package:TO-204AE;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN DARL 120V 50A TO204

ONSEMI

安森美半导体

晶体管资料

  • 型号:

    MJ11032

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl+Di

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    120V

  • 最大电流允许值:

    50A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    2

  • 可代换的型号:

  • 最大耗散功率:

    300W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    E-44

  • vtest:

    120

  • htest:

    999900

  • atest:

    50

  • wtest:

    300

产品属性

  • 产品编号:

    MJ11032

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    3.5V @ 500mA,50A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    2mA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 25A,5V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-204AE

  • 供应商器件封装:

    TO-204(TO-3)

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 120V 50A TO204

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
M
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TO-3
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更多MJ11032供应商 更新时间2026-1-20 19:09:00