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MJ11032中文资料300W NPN Darlington BJT Transistor数据手册Digitron规格书

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厂商型号

MJ11032

参数属性

MJ11032 封装/外壳为TO-204AE;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN DARL 120V 50A TO204

功能描述

300W NPN Darlington BJT Transistor

封装外壳

TO-204AE

制造商

Digitron Digitron Semiconductors

数据手册

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更新时间

2025-9-29 10:15:00

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MJ11032规格书详情

描述 Description

This BJT is packaged in TO-3 package.

Available as High Reliability device per MIL-PRF-19500 indicate –HR suffix after the part number. Contact for -HR flow. Add \"PBF\" suffix for Pb-free lead finish.

应用 Application

Bipolar Junction Transistors are used in power control and sensing applications in a diverse range of electronic circuits.

技术参数

  • 产品编号:

    MJ11032

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    3.5V @ 500mA,50A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    2mA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 25A,5V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-204AE

  • 供应商器件封装:

    TO-204(TO-3)

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 120V 50A TO204

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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