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MJ11030中文资料50 A,30V,NPN 达林顿双极功率晶体管数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

MJ11030

参数属性

MJ11030 封装/外壳为TO-204AE;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN DARL 90V 50A TO204

功能描述

50 A,30V,NPN 达林顿双极功率晶体管
TRANS NPN DARL 90V 50A TO204

封装外壳

TO-204AE

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-11-17 15:21:00

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MJ11030规格书详情

描述 Description

此类双极功率达林顿晶体管用作互补通用放大器应用中的输出器件。

特性 Features

• High DC Current Gain - hFE = 1000 (Min) @ IC = 25 Adc hFE = 400 (Min) @ IC = 50 Adc
• Curves to 100 A (Pulsed)
• Diode Protection to Rated IC
• Monolithic Construction with Built-In Base-Emitter Shunt Resistor
• Junction Temperature to +200°C
• Pb-Free Packages are Available

简介

MJ11030属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由ONSEMI制造生产的MJ11030晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    MJ11030

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    3.5V @ 500mA,50A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    2mA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 25A,5V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-204AE

  • 供应商器件封装:

    TO-204(TO-3)

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 90V 50A TO204

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