MJ11015中文资料30 A, 120 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
MJ11015 |
| 参数属性 | MJ11015 封装/外壳为TO-204AA，TO-3；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP DARL 120V 30A TO204 |
| 功能描述 | 30 A, 120 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor |
| 封装外壳 | TO-204AA，TO-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-26 10:25:00 |
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MJ11015规格书详情
描述 Description
The NPN Darlington Bipolar Power Transistor is designed for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications. The MJ11015 (PNP); MJ11012 and MJ11016 (NPN) are complementary devices.
特性 Features
• High DC Current Gain - hFE = 1000 (Min) @ IC - 20 Adc
• Monolithic Construction with Built-in Base Emitter Shunt Resistor
• Junction Temperature to +200°C
简介
MJ11015属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的MJ11015晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：MJ11015
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Polarity
：PNP
- IC Continuous (A)
：30
- V(BR)CEO Min (V)
：120
- VCE(sat) Max (V)
：3
- hFE Min (k)
：1
- hFE Max (k)
：-
- fT Min (MHz)
：4
- Package Type
：TO-204-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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