MJ11012中文资料30 A，60 V，NPN 达林顿双极功率晶体管数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

The NPN Darlington Bipolar Power Transistor is designed for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications. The MJ11015 (PNP); MJ11012 and MJ11016 (NPN) are complementary devices.

特性 Features

• High DC Current Gain - hFE = 1000 (Min) @ IC - 20 Adc
• Monolithic Construction with Built-in Base Emitter Shunt Resistor
• Junction Temperature to +200°C

简介

MJ11012属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的MJ11012晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。