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MJ11012数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

MJ11012

参数属性

MJ11012 封装/外壳为TO-204AA,TO-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN DARL 60V 30A TO204

功能描述

30 A,60 V,NPN 达林顿双极功率晶体管
TRANS NPN DARL 60V 30A TO204

封装外壳

TO-204AA,TO-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-10 15:08:00

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MJ11012规格书详情

描述 Description

The NPN Darlington Bipolar Power Transistor is designed for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications. The MJ11015 (PNP); MJ11012 and MJ11016 (NPN) are complementary devices.

特性 Features

• High DC Current Gain - hFE = 1000 (Min) @ IC - 20 Adc
• Monolithic Construction with Built-in Base Emitter Shunt Resistor
• Junction Temperature to +200°C

简介

MJ11012属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的MJ11012晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :MJ11012

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :NPN

  • IC Continuous (A)

    :30

  • V(BR)CEO Min (V)

    :60

  • VCE(sat) Max (V)

    :3

  • hFE Min (k)

    :1

  • hFE Max (k)

    :-

  • fT Min (MHz)

    :4

  • Package Type

    :TO-204-2

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