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MJ11015	文件：157.15 Kbytes Page：4 Pages	DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON High-Current Complementary Silicon Transistors . . . for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications. • High DC Current Gain — hFE = 1000 (Min) @ IC – 20 Adc • Monolithic Construction with Built–in Base Emitter Shunt Resistor • Junction Temperature to +200°C 文件：157.15 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJ11015	文件：54.14 Kbytes Page：1 Pages	Power Transistors Power Transistors TO-3 Case (Continued) 文件：54.14 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
MJ11015	文件：140.07 Kbytes Page：3 Pages	POWER TRANSISTORS(30A,60-120V,200W) COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS . . .designed for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications. • High Gain Darlington Performance • High DC Current Gain hFE= 1000 (Min) @ IC = 20 A • Monolithic Construction with Built−in Base Emitter Shun 文件：140.07 Kbytes 页数：3 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
MJ11015	文件：157.15 Kbytes Page：4 Pages	30 AMPERE DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 60.120 VOLTS 200 WATTS High-Current Complementary Silicon Transistors . . . for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications. • High DC Current Gain - hFE= 1000 (Min) @ IC −20 Adc • Monolithic Construction with Built−in Base Emitter Shunt Resistor • Junction Temperature to +200C 文件：157.15 Kbytes 页数：4 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
MJ11015	文件：21.71 Kbytes Page：1 Pages	PNP SILICON DARLINGTON TRANSISTOR(SWITCHING REGULATORS PWM INVERTERS SOLENOID AND RELAY DRIVERS) PNP SILICON DARLINGTON TRANSISTOR SWITCHING REGULATORS PWM INVERTERS SOLENOID AND RELAY DRIVERS 文件：21.71 Kbytes 页数：1 Pages	WINGS 永盛电子	WINGS
MJ11015	文件：195.82 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Darlington Power Transistor 文件：195.82 Kbytes 页数：2 Pages	ZSELEC 淄博圣诺	ZSELEC
MJ11015	文件：255.63 Kbytes Page：3 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS 文件：255.63 Kbytes 页数：3 Pages	SOLIDSTATE	SOLIDSTATE
MJ11015	文件：176.82 Kbytes Page：3 Pages	SILICON PLANAR DARLINGTON POWER TRANSISTORS 文件：176.82 Kbytes 页数：3 Pages	CDIL	CDIL
MJ11015	文件：53.44 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Darlington Power Transistor 文件：53.44 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MJ11015	文件：68.41 Kbytes Page：4 Pages	High-Current Complementary Silicon Transistors 文件：68.41 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
MJ11015
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl+Di
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
120V
最大电流允许值：
30A
最大工作频率：
>4MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
BDX68C,
最大耗散功率：
200W
放大倍数：
β>1000
图片代号：
E-44
vtest：
120
htest：
4000100
atest：
30
wtest：
200

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Polarity：
PNP
IC Continuous (A)：
30
V(BR)CEO Min (V)：
120
VCE(sat) Max (V)：
3
hFE Min (k)：
1
fT Min (MHz)：
4
Package Type：
TO-204-2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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