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MJ11032G	文件：68.44 Kbytes Page：4 Pages	High?묬urrent Complementary Silicon Power Transistors 文件：68.44 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJ11032G	文件：121.71 Kbytes Page：4 Pages	High-Current Complementary Silicon Power Transistors 文件：121.71 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJ11032G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-204AE；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 120V 50A TO204	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
PS11032	文件：83.1 Kbytes Page：6 Pages	Intellimod??Module Application Specific IPM (4 Amperes/600 Volts) INTEGRATED FUNCTIONS AND FEATURES • Converter bridge for 3 phase AC-to-DC power conversion. • 3 phase IGBT inverter bridge configured by the latest 3rd. generation IGBT and diode technology. INTEGRATED DRIVE, PROTECTION AND SYSTEM CONTROL FUNCTIONS: • P-Side IGBTs : Drive circuit, high-level-s 文件：83.1 Kbytes 页数：6 Pages	POWEREX	POWEREX
PS11032	文件：254.53 Kbytes Page：3 Pages	Patch Lead - CAT 5E Patch Lead - CAT 5E Electrical Test 100 open short and miss wire test 文件：254.53 Kbytes 页数：3 Pages	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
PS11032	文件：421.45 Kbytes Page：2 Pages	Patch Lead - CAT 5E 文件：421.45 Kbytes 页数：2 Pages	PROSIGNAL	PROSIGNAL

产品属性

产品编号：
MJ11032G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3.5V @ 500mA，50A
电流 - 集电极截止（最大值）：
2mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 25A，5V
工作温度：
-55°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-204AE
供应商器件封装：
TO-204（TO-3）
描述：
TRANS NPN DARL 120V 50A TO204

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更多MJ11032G供应商更新时间2025-10-11 10:18:00

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