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MJ2955	文件：81.17 Kbytes Page：4 Pages	Complementary Silicon Power Transistors 15 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 60 VOLTS, 115 WATTS Complementary silicon power transistors are designed for general−purpose switching and amplifier applications. Features • DC Current Gain − hFE = 20−70 @ IC = 4 Adc • Collector−Emitter Saturation Voltage −VCE(sat 文件：81.17 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJ2955	文件：71.17 Kbytes Page：4 Pages	Complementary Silicon Power Transistors 15 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 60 VOLTS, 115 WATTS Complementary silicon power transistors are designed for general−purpose switching and amplifier applications. Features • DC Current Gain − hFE = 20−70 @ IC = 4 Adc • Collector−Emitter Saturation Voltage −VCE(sat 文件：71.17 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJ2955	文件：336.47 Kbytes Page：4 Pages	SILICON PLANAR POWER TRANSISTORS General Purpose Switching and Amplifier Applications 2N3055 NPN MJ2955 PNP 文件：336.47 Kbytes 页数：4 Pages	CDIL	CDIL
MJ2955	文件：174.38 Kbytes Page：3 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 15 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 60 VOLTS 115 WATTS 文件：174.38 Kbytes 页数：3 Pages	BOCA 博卡	BOCA
MJ2955	文件：130.46 Kbytes Page：4 Pages	15 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 60 VOLTS 115 WATTS 15 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 60 VOLTS 115 WATTS 2N3055 (NPN) MJ2955(PNP) designed for general–purpose switching and amplifier applications. 1. DC Current Gain — hFE= 20 – 70 @ IC= 4 Adc 2. Collector–Emitter Saturation Voltage — VCE(sat)= 1.1 Vdc (Max) @ IC= 4 Adc 文件：130.46 Kbytes 页数：4 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
MJ2955	文件：449.04 Kbytes Page：4 Pages	Transistor, PNP TO-3 Description: Complementary silicon power transistors are designed for general-purpose switching and amplifier applications. Features: • DC current gain - hFE = 20 - 70 at IC = 4A DC • Collector-emitter saturation voltage-VCE (sat) = 1.1V DC (max.) at IC = 4A DC • Excellent safe operating ar 文件：449.04 Kbytes 页数：4 Pages	MULTICOMP 易络盟	MULTICOMP
MJ2955	文件：112.3 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·Excellent Safe Operating Area ·DC Current Gain-: hFE=20-70@IC= -4A ·Collector-Emitter Saturation Voltage-: VCE(sat)= -1.1V(Max)@ IC= -4A ·Complement to Type 2N3055 APPLICATIONS ·Designed for general-purpose switching and amplifier applications 文件：112.3 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MJ2955	文件：112.9 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3 package ·Complement to type MJ2955 ·DC current gain -hFE = 20–70 @ IC = 4 Adc ·Excellent safe operating area APPLICATIONS ·Designed for general–purpose switching and amplifier applications. 文件：112.9 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
MJ2955	文件：64.66 Kbytes Page：1 Pages	PNP PLANAR SILICON TRANSISTOR(AUDIO POWER AMPLIFIER DC TO DC CONVERTER) AUDIO POWER AMPLIFIER DC TO DC CONVERTER High Current Capability High Power Dissipation Complementary to MJ3055 文件：64.66 Kbytes 页数：1 Pages	WINGS 永盛电子	WINGS
MJ2955	文件：47.01 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS Description The devices are manufactured in epitaxial-base planar technology and are suitable for audio, power linear and switching applications. Features ■ Low collector-emitter saturation voltage ■ Complementary NPN - PNP transistors Applications ■ General purpose ■ Audi 文件：47.01 Kbytes 页数：4 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

晶体管资料

型号：
MJ2955
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
15A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
2
可代换的型号：
BD250C,BD258/100,BD318,2N5879,2N6029,
最大耗散功率：
150W
放大倍数：
图片代号：
E-44
vtest：
60
htest：
999900
atest：
15
wtest：
150

产品属性

产品编号：
MJ2955
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 3.3A，10A
电流 - 集电极截止（最大值）：
700µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 4A，4V
工作温度：
200°C（TJ）
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
TO-204AA，TO-3
供应商器件封装：
TO-3
描述：
TRANS PNP 60V 15A TO3

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