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MVT-2515	文件：422.08 Kbytes Page：1 Pages	5.08and6.35mmPinSpacing??FixedPCBBlocks	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
NMA2515	文件：137.79 Kbytes Page：1 Pages	NMA2500SERIESDUALBIASNOISEMODULES	MICRONETICS Micronetics, Inc.	MICRONETICS
NTE2515	文件：22.79 Kbytes Page：2 Pages	SiliconComplementaryTransistorsHighCurrentSwitch Features: LowCollectorEmitterSaturationVoltage HighGain–BandwidthProduct ExcellentLinearityofhFE FastSwitchingTime Applications: DisplayDrivers HighSpeedInverters Converters	NTE NTE Electronics	NTE
PBSS2515	文件：69.97 Kbytes Page：12 Pages	15VlowVCEsatNPNdoubletransistor DESCRIPTION NPNlowVCEsatdoubletransistorinaSOT666plasticpackage. PNPcomplement:PBSS3515VS. FEATURES •300mWtotalpowerdissipation •Verysmall1.6x1.2mmultrathinpackage •Excellentcoplanarityduetostraightleads •Lowcollector-emittersaturationvoltage •High	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS2515E	文件：128.07 Kbytes Page：12 Pages	15V,0.5ANPNlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription NPNlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinanultrasmallSOT416(SC-75)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ■Highcollectorcurrentg	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PBSS2515E	文件：242.93 Kbytes Page：13 Pages	15V,0.5ANPNlowVCEsat(BISS)transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS2515F	文件：66.92 Kbytes Page：8 Pages	15VlowVCEsatNPNtransistor DESCRIPTION NPNlowVCEsattransistorinaSC-89(SOT490)plasticpackage. PNPcomplement:PBSS3515F. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapabilities •Improvedthermalbehaviourduetoflatleads. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandmuting •Lowf	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS2515M	文件：151.01 Kbytes Page：9 Pages	15V,0.5ANPNlowVCEsat(BISS)transistor DESCRIPTION LowVCEsatNPNtransistorinaSOT883leadlessultrasmallplasticpackage. PNPcomplement:PBSS3515M. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Highefficiencyleadingtoreducedheatgeneration •Reducedprinted	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PBSS2515M	文件：355.63 Kbytes Page：10 Pages	15V,0.5ANPNlowVCEsat(BISS)transistor FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Highefficiencyleadingtoreducedheatgeneration •Reducedprinted-circuitboardrequirements. APPLICATIONS •Powermanagement: –DC-DCconverter –Supplylineswitching –Batterycharg	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS2515MB	文件：1.14939 Mbytes Page：12 Pages	15V,0.5ANPNlowVCEsat(BISS)transistor	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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