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MCH4014-TL-H	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：SOT-343F 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 12V 10GHZ 4MCPH	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
4014	文件：172.61 Kbytes Page：6 Pages	3M??DampingAluminumFoamSheet4014	3MMinnesota Mining and Manufacturing 明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司	3M
4014B	文件：95.85 Kbytes Page：1 Pages	EPDMSnap-InLiquidTightBushings	Heyco Heyco	Heyco
4014B	文件：865.68 Kbytes Page：3 Pages	DDSSweepFunctionGenerators	BKB&K Precision Corporation B & k B & k 精密机械有限公司	BK
4014B	文件：830.1 Kbytes Page：3 Pages	Sineandsquarewaveformsupto12MHz(4014B)or20MHz(4040B)	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
ACTF4014	文件：156.41 Kbytes Page：3 Pages	IFfilter	ACTAdvanced Crystal Technology 先进的晶体先进的晶体技术	ACT
ACTF4014	文件：81.87 Kbytes Page：3 Pages	IFfilterforDBSreceivers	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
ACTF4014	文件：85.41 Kbytes Page：3 Pages	IFfilterforDBSreceiverswithconstantgroupdelay	ACTAdvanced Crystal Technology 先进的晶体先进的晶体技术	ACT
APT4014BVFR	文件：73.91 Kbytes Page：4 Pages	POWERMOSVFREDFET	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT4014BVFR	文件：419.54 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT4014BVR	文件：337.01 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=28A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.14Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT4014BVR	文件：64.36 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs. POWERMOSV® PowerMOSV®isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV®alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. •Fast	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT4014HVR	文件：64.2 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs. POWERMOSV® PowerMOSV®isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV®alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. •Fast	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT4014SVFR	文件：73.91 Kbytes Page：4 Pages	POWERMOSVFREDFET	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
B4014	文件：121.35 Kbytes Page：4 Pages	BROADBANDxDSL,HPN,CMCs BROADBANDACCESS:xDSL,HPN,CMCs Broadbandhascomealongwayinthepastfewyears.Pulsecontinuestoleadthewaywithabroadrangeofcomponentsthatenabletwisted-paircopper,fiberandcoaxialcabletodeliverhigh-speedservicestohomesandbusinesses.Pulsecomponentsarealsous	pulse Pulse Electronics	pulse
BCL-4014	文件：244.11 Kbytes Page：2 Pages	CompressionStyleRingTongueTerminalfor4/0AWGWire,StudSize1/4,Un-Plated,BarrelLength19.05mm(.750)	MOLEX4Molex Electronics Ltd. 莫仕公司MOLEX莫仕公司	MOLEX4
BCL-4014-PL	文件：244.2 Kbytes Page：2 Pages	CompressionStyleRingTongueTerminalfor4/0AWGWire,StudSize1/4,Plated,BarrelLength19.05mm(.750)	MOLEX4Molex Electronics Ltd. 莫仕公司MOLEX莫仕公司	MOLEX4
BQ4014	文件：803.27 Kbytes Page：13 Pages	256Kx8NonvolatileSRAM	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
BQ4014	文件：763.39 Kbytes Page：11 Pages	256Kx8NonvolatileSRAM	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
BQ4014Y	文件：803.27 Kbytes Page：13 Pages	256Kx8NonvolatileSRAM	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI

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产品属性

产品编号：
MCH4014-TL-H
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
12V
频率 - 跃迁：
10GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.2dB @ 1GHz
增益：
18dB
功率 - 最大值：
350mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 5mA，5V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
30mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOT-343F
供应商器件封装：
4-MCPH
描述：
RF TRANS NPN 12V 10GHZ 4MCPH

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	MCH4014-TL-H	onsemi(安森美)	23+	MCPH-4	3022	原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务	询价
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更多MCH4014-TL-H供应商更新时间2024-5-21 18:26:00

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