RF Transistor

RF Transistor 8V, 150mA, fT=16GHz, NPN Single MCPH4 Features • Low-noise use : NF=1.2dB typ (f=1GHz). • High cut-off frequency : fT=16GHz typ (VCE=5V). • High gain : |S21e|2=17.5dB typ (f=1GHz).

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ONSEMI

安森美半导体

NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor High Frequency Low-Noise Amplifier

NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor Features • Low-noise use : NF=1.2dB typ (f=1GHz). • High cut-off frequency : fT=16GHz typ (VCE=5V). • High gain : |S21e|2=17.5dB typ (f=1GHz).

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SANYO

三洋

射频晶体管，NPN 单，8 V，150 mA，fT = 16 GHz

MCH4021 is RF Transistor, 8V, 150mA, fT=16GHz, NPN Single MCPH4. Low noise use : NF=1.2dB typ (f=1GHz)\nHigh cut-off frequency : fT=16GHz typ (VCE=5V)\nHigh gain : forward Transfer Gain=17.5dB typ.(f=1GHz);

ONSEMI

安森美半导体

Package：4-SMD，扁平引线；包装：带 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 射频 描述：RF TRANS NPN 8V 16GHZ 4MCPH

ONSEMI

安森美半导体

Package：4-SMD，扁平引线；包装：带 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 射频 描述：RF TRANS NPN 8V 16GHZ 4MCPH

ONSEMI

安森美半导体