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MCH5812	文件：54.61 Kbytes Page：6 Pages	MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications MOSFET:N-ChannelSiliconMOSFETSBD:SchottkyBarrierDiode Features •CompositetypewithaN-channelsilliconMOSFET(MCH3445)andaschottkybarrierdiode(SS10015M)containedinonepackagefacilitatinghigh-densitymounting. •[MOSFET] •LowON-resistance. •Ultrahigh-speedsw	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
MK5812	文件：245.8 Kbytes Page：8 Pages	LOWEMICLOCKGENERATOR Features •Packagedin8-pinSOIC •Providesaspreadspectrumoutputclock •Supportsflatpanelcontrollers •Acceptsaclockorcrystalinput(providessame frequencyditheredoutput) •Inputfrequencyrangeof4to32MHz •Outputfrequencyrangeof8to64MHz •2Xfrequencymultiplic	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
MK5812	文件：384.14 Kbytes Page：11 Pages	LOWEMICLOCKGENERATOR Features •Packagedin8-pinSOIC •Pb(lead)freepackage,RoHScompliant •Providesaspreadspectrumoutputclock •Supportsprintersandflatpanelcontrollers •Acceptsaclockorcrystalinput(providessame frequencyditheredoutput) •Inputfrequencyrangeof4to32MHz •Outputf	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
MK5812	文件：151.6 Kbytes Page：7 Pages	LowEMIClockGenerator	ICST Integrated Circuit Systems	ICST
MK5812SLF	文件：245.8 Kbytes Page：8 Pages	LOWEMICLOCKGENERATOR Features •Packagedin8-pinSOIC •Providesaspreadspectrumoutputclock •Supportsflatpanelcontrollers •Acceptsaclockorcrystalinput(providessame frequencyditheredoutput) •Inputfrequencyrangeof4to32MHz •Outputfrequencyrangeof8to64MHz •2Xfrequencymultiplic	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
MK5812SLFTR	文件：245.8 Kbytes Page：8 Pages	LOWEMICLOCKGENERATOR Features •Packagedin8-pinSOIC •Providesaspreadspectrumoutputclock •Supportsflatpanelcontrollers •Acceptsaclockorcrystalinput(providessame frequencyditheredoutput) •Inputfrequencyrangeof4to32MHz •Outputfrequencyrangeof8to64MHz •2Xfrequencymultiplic	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
MRF5812	文件：173.04 Kbytes Page：5 Pages	RF&MICROWAVEDISCRETELOWPOWERTRANSISTORS DESCRIPTION:Designedforhighcurrent,lowpower,lownoise,amplifiersupto1.0GHz. Features •LowNoise-2.5dB@500MHZ •AssociatedGain=15.5dB@500MHz •Ftau-5.0GHz@10v,75mA •CostEffectiveSO-8package	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MRF5812	文件：27.13 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONRFMICROWAVETRANSISTOR DESCRIPTION: TheASIMRF5812isDesignedforhighcurrent,lowpower,lownoise,amplifiersupto1.0GHz. FEATURES: •LowNoise–2.5dB@500MHz •Ftau–5.0GHz@10V,75mA •CostEffectiveSO-8package	ASI Advanced Semiconductor	ASI
MRF5812	文件：125.09 Kbytes Page：5 Pages	RF&MICROWAVEDISCRETELOWPOWERTRANSISTORS DESCRIPTION:Designedforhighcurrent,lowpower,lownoise,amplifiersupto1.0GHz. Features •LowNoise-2.5dB@500MHZ •AssociatedGain=15.5dB@500MHz •Ftau-5.0GHz@10v,75mA •CostEffectiveSO-8package	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
MRF5812G	文件：125.09 Kbytes Page：5 Pages	RF&MICROWAVEDISCRETELOWPOWERTRANSISTORS DESCRIPTION:Designedforhighcurrent,lowpower,lownoise,amplifiersupto1.0GHz. Features •LowNoise-2.5dB@500MHZ •AssociatedGain=15.5dB@500MHz •Ftau-5.0GHz@10v,75mA •CostEffectiveSO-8package	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW

详细参数

型号：
MCH5812
制造商：
SANYO
制造商全称：
Sanyo Semicon Device
功能描述：
MOSFET
：
N-Channel Silicon MOSFET SBD
：
Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications

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