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DMMT5551S	文件：77.16 Kbytes Page：3 Pages	MATCHEDNPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryPNPTypeAvailable(DMMT5401) •IdealforLowPowerAmplificationandSwitching •IntrinsicallyMatchedNPNPair(Note1) •2MatchedTolerance,hFE,VCE(SAT),VBE(SAT) •LeadFree/RoHSCompliant(Note4) •GreenDevice(Note5an	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DMMT5551S	文件：101.9 Kbytes Page：4 Pages	MATCHEDNPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DMMT5551-TP	文件：78.85 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors Features •SurfaceMountSOT-363Package •200mWattsofPowerDissipation •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching •CaseMaterial:MoldedPlastic.ULFlammabilityClassificationRating94V-0andMSLRating1 •Marking:K4R	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
DXT5551	文件：238.33 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFNPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description Designedforgeneralpurposeapplicationsrequiringhighbreakdownvoltages.	DCCOMDc Components 直流元件直流元件有限公司	DCCOM
DXT5551	文件：372.59 Kbytes Page：6 Pages	160VNPNTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DZT5551	文件：177.77 Kbytes Page：4 Pages	NPNSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •BVCEO>160V •BVEBO>6V •IC=600mAContinuousCollectorCurrent •LowSaturationVoltage(150mVmax@10mA) •hFEspecifiedupto50mAforahighgainholdup •ComplementaryPNPType:DZT5401 •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAnti	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DZT5551Q	文件：492.12 Kbytes Page：7 Pages	160VNPNVOLTAGETRANSISTORINSOT223 Description ThisBipolarJunctionTransistor(BJT)isdesignedtomeetthestringentrequirementsofAutomotiveApplications. Features •BVCEO>160V •BVEBO>6V •IC=600mAContinuousCollectorCurrent •LowSaturationVoltage(150mVmax@10mA) •hFEspecifiedupto50mAforahighgain	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
E5551	文件：5.98887 Mbytes Page：294 Pages	HighPerformance,LowPowerAtmelAVR8-bitMicrocontrollerAdvancedRISCArchitecture	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
FFB5551	文件：247.19 Kbytes Page：5 Pages	Dual-ChipNPNGeneral-PurposeAmplifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FFB5551	文件：112.7 Kbytes Page：5 Pages	Dual-ChipNPNGeneralPurposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FMB5551	文件：29.23 Kbytes Page：2 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifierSuperSOT-6SurfaceMountPackage	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FMB5551	文件：72.12 Kbytes Page：3 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifierSuperSOT-6SurfaceMountPackage	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FMB5551	文件：628.43 Kbytes Page：1 Pages	FAIRCHILDSmallSignalTransistors	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FMBM5551	文件：250.86 Kbytes Page：6 Pages	NPNGeneral-PurposeAmplifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FMBM5551	文件：162.2 Kbytes Page：4 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FMBS5551	文件：90.45 Kbytes Page：6 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FMBT5551	文件：409.24 Kbytes Page：8 Pages	600mASiliconNPNEpitaxialPlanarTransistor 600mASiliconNPNEpitaxialPlanarTransistor Features •Highcollector-emitterbreakdienvoltage. (BVCEO=140V~160V@IC=1mA) •Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposehighvoltage amplifiersandgasdischargedisplaydriving •Epitaxialplanardieconstruction •ComplememntaryPN	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
FMMT5551	文件：30.79 Kbytes Page：1 Pages	SOT23NPNSILICONPLANARHIGHVOLTAGETRANSISTORS PARTMARKINGDETAILS-FMMT5550-1FZ FMMT5551-ZG1 COMPLEMENTARYTYPES-FMMT5550-FMMT5400 FMMT5551-FMMT5401	ZetexZetex Semiconductors 捷特科半导体	Zetex
GES5551	文件：41.31 Kbytes Page：2 Pages	SILICONTRANSISTORS	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
GES5551	文件：117.77 Kbytes Page：2 Pages	SiliconTransistors	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

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深圳市科恒伟业电子有限公司	MC-5551	NEC	2016+	SIP17P	6523	只做原装正品现货!或订货!	询价
深圳市一线半导体有限公司	MC-5551	NEC	03+	SIP	1600		询价
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更多MC-5551供应商更新时间2024-6-18 14:47:00

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