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MBT3904DW1T1	文件：105.62 Kbytes Page：7 Pages	Dual General Purpose Transistors 文件：105.62 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBT3904DW1T1_05	文件：105.62 Kbytes Page：7 Pages	Dual General Purpose Transistors 文件：105.62 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBT3904DW1T1G	文件：105.62 Kbytes Page：7 Pages	Dual General Purpose Transistors 文件：105.62 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBT3904DW2T1	文件：105.62 Kbytes Page：7 Pages	Dual General Purpose Transistors 文件：105.62 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBT3904DW2T1G	文件：105.62 Kbytes Page：7 Pages	Dual General Purpose Transistors 文件：105.62 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBT3904D	文件：300 bytes Page：1 Pages	SWITCHING TRANSISTORS	AiT-Semi 创瑞科技	AiT-Semi
MBT3904DW1	文件：300 bytes Page：1 Pages	双 NPN 双极晶体管 The MBT3904DW1 and MBT3904DW2 devices are spin-offs of our popular SOT-23/SOT-323 three-leaded devices. This Dual NPN Bipolar Transistor is designed for general purpose amplifier applications and is housed in the SOT-363 six-leaded surface mount package. By putting two discrete devices in one packag • hFE, 100-300\n• Reduces Board Space\n• Available in 8 mm, 7-inch/3,000 Unit Tape and Reel\n• These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS CompliantCapable;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBT3904DW1T1	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual General Purpose Transistors	LRC 乐山无线电	LRC
MBT3904DW1T1H	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列描述：TRANS 2NPN 40V 0.2A SC88	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

VCEO(V)：
40
hFE/ Min/Max：
100/300
hFE/ IC(mA)/VCE (Volts)：
10/1
fT (Min) (MHz)：
300
td (ns)：
35
tr (ns)：
35
ts (ns)：
200
tf (ns)：
50
Polarity：
A
Package：
SC-88

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