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MBT3904DW1T1G	文件：138.28 Kbytes Page：8 Pages	Dual General Purpose Transistors TheMBT3904DW1andMBT3904DW2devicesareaspin−offofourpopularSOT−23/SOT−323three−leadeddevice.ItisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplicationsandishousedintheSOT−363six−leadedsurfacemountpackage.Byputtingtwodiscretedevicesinonepackage,thisdeviceisidealfor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MBT3904DW1T1G	文件：181.51 Kbytes Page：9 Pages	Gallium Arsenide CATV Integrated Amplifier Module Description •24VdcSupplyor12VdcSupplywithBiasChange,40to870MHz,CATVIntegratedForwardAmplifierModule Features •Specifiedfor79-,112-and132-ChannelLoading •ExcellentDistortionPerformance •Built-inInputDiodeProtection •GaAsFETTransistorTechnology •Unconditi	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司
MBT3904DW1T1G	文件：105.7 Kbytes Page：8 Pages	Dual General Purpose Transistors TheMBT3904DW1T1andMBT3904DW2T1devicesareaspin-offofourpopularSOT-23/SOT-323three-leadeddevice.ItisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplicationsandishousedintheSOT-363six-leadedsurfacemountpackage.Byputtingtwodiscretedevicesinonepackage,thisdeviceisideal	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
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LMBT3904DW1T1	文件：201.12 Kbytes Page：7 Pages	DualGeneralPurposeTransistor DualGeneralPurposeTransistor TheLMBT3904DW1T1deviceisaspin–offofourpopularSOT–23/SOT–323three–leadeddevice.ItisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplicationsandishousedintheSOT–363six–leadedsurfacemountpackage.Byputtingtwodiscretedevicesinonepackage,thisd	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司
LMBT3904DW1T1G	文件：188.41 Kbytes Page：7 Pages	DualGeneralPurposeTransistor DualGeneralPurposeTransistor TheLMBT3904DW1T1deviceisaspin–offofourpopularSOT–23/SOT–323three–leadeddevice.ItisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplicationsandishousedintheSOT–363six–leadedsurfacemountpackage.Byputtingtwodiscretedevicesinonepackage,thisd	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司
MBT3904DW1T1	文件：422.11 Kbytes Page：10 Pages	DualGeneralPurposeTransistors DualGeneralPurposeTransistors TheMBT3904DW1T1,MBT3906DW1T1,andMBT3946DW1T1devicesarespin–offsofourpopularSOT–23/SOT–323three–leadeddevices.TheyaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplicationsandarehousedintheSOT–363six–leadedsurfacemountpackage.Byputtingtwod	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司
MBT3904DW1T1	文件：105.7 Kbytes Page：8 Pages	DualGeneralPurposeTransistors TheMBT3904DW1T1andMBT3904DW2T1devicesareaspin-offofourpopularSOT-23/SOT-323three-leadeddevice.ItisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplicationsandishousedintheSOT-363six-leadedsurfacemountpackage.Byputtingtwodiscretedevicesinonepackage,thisdeviceisideal	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MBT3904DW1T1	文件：720.39 Kbytes Page：10 Pages	DualGeneralPurposeTransistors	ETL E-Tech Electronics LTD
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MMBT3904DW1T1	文件：352.2 Kbytes Page：7 Pages	DualGeneralPurposeTransistor	WILLASWILLAS electronics corp 威倫威倫电子股份有限公司
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详细参数

型号：
MBT3904DW1T1G
功能描述：
两极晶体管 - BJT 200mA 60V Dual NPN
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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