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MBRD1035CTL	文件：158.19 Kbytes Page：6 Pages	SWITCHMODE??SchottkyRectifierD2PAKPowerSurfaceMountPackage SWITCHMODESchottkyPowerRectifier DPAKPowerSurfaceMountPackage ...employingtheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal–to–siliconpowerdiode.Stateoftheartgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforlowvol	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MBRD1035CTL	文件：63.87 Kbytes Page：3 Pages	10ASURFACEMOUNTDUALSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features •GuardRingDieConstructionfor TransientProtection •LowPowerLoss,HighEfficiency •HighSurgeCapability •VeryLowForwardVoltageDrop •ForUseinLowVoltage,HighFrequency Inverters,OR’ing,andPolarityProtection Applications •PlasticMaterial:ULFlamma	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MBRD1035CTL	文件：117.22 Kbytes Page：6 Pages	SWITCHMODESchottkyPowerRectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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MBRD1035CTL	文件：231.35 Kbytes Page：7 Pages	SchottkyPowerRectifier,SwitchMode,10A,35V TheMBRD1035CTLemploystheSchottkyBarrierprincipleina largeareametal−to−siliconpowerdiode.Stateoftheartgeometry featuresepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetal overlaycontact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequency switchingpowersupplies,freewheelin	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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