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MBRS130LT3	文件：63.74 Kbytes Page：4 Pages	Schottky Power Rectifier(Surface Mount Power Package) . . . Employs the Schottky Barrier principle in a large area metal–to–silicon power diode. State–of–the–art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or as free wheeling and polarity prot 文件：63.74 Kbytes 页数：4 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
MBRS130LT3	文件：139.38 Kbytes Page：6 Pages	丝印：1BL3；Package：SMB；Schottky Power Rectifier 文件：139.38 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRS130LT3	文件：95.76 Kbytes Page：6 Pages	丝印：1BL3；Package：SMB；Schottky Power Rectifier 文件：95.76 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRS130LT3	文件：300 bytes Page：1 Pages	Schottky Barrier Rectifiers	EIC 灿阳	EIC
MBRS130LT3G	文件：153.31 Kbytes Page：5 Pages	Schottky Power Rectifier Schottky Power Rectifier Surface Mount Power Package This device employs the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State−of−the−art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, 文件：153.31 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRS130LT3G	文件：278.42 Kbytes Page：6 Pages	Schottky Power Rectifier Surface Mount Power Package This device employs the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State−of−the−art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or as free wheeling and pol 文件：278.42 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRS130LT3G_V01	文件：278.42 Kbytes Page：6 Pages	Schottky Power Rectifier Surface Mount Power Package This device employs the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State−of−the−art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or as free wheeling and pol 文件：278.42 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRS130LT3_07	文件：95.76 Kbytes Page：6 Pages	Schottky Power Rectifier 文件：95.76 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRS130LT3_09	文件：139.38 Kbytes Page：6 Pages	Schottky Power Rectifier 文件：139.38 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRS130LT3G	文件：139.38 Kbytes Page：6 Pages	Schottky Power Rectifier 文件：139.38 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

IF(AV)@TL(℃)：
120
VRRM(V)：
30
IFSM(A)：
40
VF@IF(V)：
0.395
VF@IF(A)：
1
IR(mA)：
1

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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