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MBRS340T3	文件：51.38 Kbytes Page：4 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS 3.0 AMPERES 20, 30, 40 VOLTS These devices employ the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State−of−the−art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, hi 文件：51.38 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRS340T3	文件：75.68 Kbytes Page：4 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS 3.0 AMPERES 20, 30, 40 VOLTS These devices employ the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State−of−the−art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, hi 文件：75.68 Kbytes 页数：4 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
MBRS340T3	文件：293.38 Kbytes Page：24 Pages	42V, 2.5A, 2MHz Step-Down Switching Regulator with 2.7關A Quiescent Current 文件：293.38 Kbytes 页数：24 Pages	LINER 凌力尔特	LINER
MBRS340T3	文件：49.53 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS 文件：49.53 Kbytes 页数：2 Pages	EIC	EIC
MBRS340T3	文件：98.51 Kbytes Page：4 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier 文件：98.51 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRS340T3	文件：300 bytes Page：1 Pages	Schottky Barrier Rectifiers	EIC 灿阳	EIC
MBRS340T3G	文件：106.86 Kbytes Page：4 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier These devices employ the Schottky Barrier principle in a large area metal-to-silicon power diode. State-of-the-art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or as free wheeling and polari 文件：106.86 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRS340T3G	文件：184.59 Kbytes Page：5 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier These devices employ the Schottky Barrier principle in a large area metal-to-silicon power diode. State-of-the-art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or as free wheeling and po 文件：184.59 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRS340T3G	文件：98.51 Kbytes Page：4 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier 文件：98.51 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRS340T3G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-214AB，SMC；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 40V 3A SMC	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

IF(AV)@TL(℃)：
100
VRRM(V)：
40
IFSM(A)：
80
VF@IF(V)：
0.525
VF@IF(A)：
3
IR(mA)：
2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	MBRS340T3	ON(安森美)	24+	标准封装	8238	全新原装正品/价格优惠/质量保障	询价
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更多MBRS340T3供应商更新时间2025-12-8 23:00:00

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