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MC100EL11DR2	文件：150.83 Kbytes Page：9 Pages	5.0 V ECL 1:2 Differential Fanout Buffer 文件：150.83 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MC100EL11DR2G	文件：150.83 Kbytes Page：9 Pages	5.0 V ECL 1:2 Differential Fanout Buffer 文件：150.83 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MC100EL11DR2G	文件：166.51 Kbytes Page：8 Pages	5.0V ECL 1:2 Differential Fanout Buffer 文件：166.51 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MC100EL11DR2G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）时钟缓冲器，驱动器描述：IC CLK BUFFER 1:2 1.5GHZ 8SOIC	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

详细参数

型号：
MC100EL11DR2
功能描述：
时钟缓冲器 5V
1：
2 ECL Diff
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
输出端数量：
5
最大输入频率：
40 MHz
电源电压-最大：
3.45 V
电源电压-最小：
2.375 V
最大工作温度：
+ 85 C
最小工作温度：
- 40 C
封装/箱体：
LLP-24
封装：
Reel

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