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MBRD1035CTLT4	文件：104.04 Kbytes Page：6 Pages	SWITCHMODE Schottky Power Rectifier Switch-mode Schottky Power Rectifier DPAK Power Surface Mount Package The MBRD1035CTL employs the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State of the art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited fo 文件：104.04 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRD1035CTLT4	文件：117.22 Kbytes Page：6 Pages	SWITCHMODE Schottky Power Rectifier 文件：117.22 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRD1035CTLT4	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：卷带（TR）剪切带（CT）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE SCHOTTKY 35V 5A DPAK	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRD1035CTLT4G	文件：120.16 Kbytes Page：6 Pages	SWITCHMODE Schottky Power Rectifier Switch-mode Schottky Power Rectifier DPAK Power Surface Mount Package The MBRD1035CTL employs the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State of the art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited fo 文件：120.16 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRD1035CTLT4G	文件：104.04 Kbytes Page：6 Pages	SWITCHMODE Schottky Power Rectifier Switch-mode Schottky Power Rectifier DPAK Power Surface Mount Package The MBRD1035CTL employs the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State of the art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited fo 文件：104.04 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRD1035CTLT4G	文件：231.35 Kbytes Page：7 Pages	Schottky Power Rectifier, Switch Mode, 10 A, 35 V The MBRD1035CTL employs the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State of the art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency switching power supplies, free wheelin 文件：231.35 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRD1035CTLT4G	文件：117.22 Kbytes Page：6 Pages	SWITCHMODE Schottky Power Rectifier 文件：117.22 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRD1035CTLT4G	文件：74.18 Kbytes Page：6 Pages	Switch-mode Schottky Power Rectifier 文件：74.18 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRD1035CTLT4G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 35V 5A DPAK	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
MBRD1035CTLT4
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
二极管配置：
1 对共阴极
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：
5A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
DPAK
描述：
DIODE SCHOTTKY 35V 5A DPAK

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