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MBRD1035CTLT4分立半导体产品的二极管-整流器-阵列规格书PDF中文资料

MBRD1035CTLT4
厂商型号

MBRD1035CTLT4

参数属性

MBRD1035CTLT4 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为卷带(TR)剪切带(CT);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列;产品描述:DIODE SCHOTTKY 35V 5A DPAK

功能描述

SWITCHMODE Schottky Power Rectifier
DIODE SCHOTTKY 35V 5A DPAK

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

文件大小

104.04 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-31 23:01:00

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MBRD1035CTLT4规格书详情

MBRD1035CTLT4属于分立半导体产品的二极管-整流器-阵列。由安森美半导体公司制造生产的MBRD1035CTLT4二极管 - 整流器 - 阵列二极管和整流器阵列系列中的产品可在单个封装内包含两个或多个分立二极管。其特征表述类似于单个分立二极管,并增加了“二极管配置”属性,该属性指示设备中二极管之间任何内部连接的存在情况和特性。请注意,具有全桥配置的阵列被专门排除在外,并列为单独的产品系列。

Switch-mode Schottky Power Rectifier

DPAK Power Surface Mount Package

The MBRD1035CTL employs the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State of the art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency switching power supplies, free wheeling diode and polarity protection diodes.

特性 Features

• Highly Stable Oxide Passivated Junction

• Guardring for Stress Protection

• Matched Dual Die Construction −

May be Paralleled for High Current Output

• High dv/dt Capability

• Short Heat Sink Tap Manufactured − Not Sheared

• Very Low Forward Voltage Drop

• Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in

• SBRD8 and NRVBD Prefix for Automotive and Other Applications

Requiring Unique Site and Control Change Requirements;

AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable

• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS

Compliant

产品属性

更多
  • 产品编号:

    MBRD1035CTLT4

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)

  • 二极管配置:

    1 对共阴极

  • 二极管类型:

    肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):

    5A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 工作温度 - 结:

    -55°C ~ 150°C

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    DPAK

  • 描述:

    DIODE SCHOTTKY 35V 5A DPAK

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