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MBRS360T3	文件：51.38 Kbytes Page：4 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS 3.0 AMPERES 20, 30, 40 VOLTS These devices employ the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State−of−the−art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, hi 文件：51.38 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRS360T3	文件：300 bytes Page：1 Pages	Schottky Barrier Rectifiers	EIC 灿阳	EIC
MBRS360T3G	文件：141.61 Kbytes Page：7 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS 3.0 AMPERES, 60 VOLTS SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS 3.0 AMPERES, 60 VOLTS This device employs the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State−of−the−art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, hi 文件：141.61 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRS360T3G	文件：245.74 Kbytes Page：8 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier This device employs the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State−of−the−art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or as free wheeling and pol 文件：245.74 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRS360T3G	文件：249.27 Kbytes Page：8 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier This device employs the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State−of−the−art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or as free wheeling and pol 文件：249.27 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRS360T3G_V01	文件：249.27 Kbytes Page：8 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier This device employs the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State−of−the−art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or as free wheeling and pol 文件：249.27 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRS360T3G	文件：117.32 Kbytes Page：7 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier 文件：117.32 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRS360T3G_14	文件：117.32 Kbytes Page：7 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier 文件：117.32 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRS360T3G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-214AB，SMC；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 60V 3A SMC	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRS360T3H	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-214AB，SMC；包装：散装类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

IF(AV)@TL(℃)：
137
VRRM(V)：
60
IFSM(A)：
125
VF@IF(V)：
0.74
VF@IF(A)：
3
IR(mA)：
0.15

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	MBRS360T3	ON(安森美)	24+	标准封装	7056	全新原装正品/价格优惠/质量保障	询价
深圳市力拓辉电子有限公司	MBRS360T3	ON	21+	DO-214AB	850000	全新原装鄙视假货	询价
深圳市博科胜电子有限公司	MBRS360T3	ON	19+	SMC	1500	原装现货实单可谈	询价
深圳市创新迹电子有限公司	MBRS360T3	ON	2021+	原装正品	6800	原厂原装,欢迎咨询	询价
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深圳市得捷芯城科技有限公司	MBRS360T3	ON(安森美)	24+	-	22021	原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同	询价
谛辉(北京/上海/青岛 )电子科技有限公司	MBRS360T3	MOT	25+	SMB	18000	原厂直接发货进口原装	询价
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深圳市一线半导体有限公司	MBRS360T3		24+		3000	公司现货	询价
深圳市卓越微芯电子有限公司	MBRS360T3	ON	25+	D0-214A	2069	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价

更多MBRS360T3供应商更新时间2025-12-7 23:00:00

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