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MBRS360T3G	文件：245.74 Kbytes Page：8 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier This device employs the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State−of−the−art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or as free wheeling and pol 文件：245.74 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRS360T3G	文件：249.27 Kbytes Page：8 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier This device employs the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State−of−the−art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or as free wheeling and pol 文件：249.27 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRS360T3G	文件：141.61 Kbytes Page：7 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS 3.0 AMPERES, 60 VOLTS SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS 3.0 AMPERES, 60 VOLTS This device employs the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State−of−the−art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, hi 文件：141.61 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRS360T3G	文件：117.32 Kbytes Page：7 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier 文件：117.32 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRS360T3G_V01	文件：249.27 Kbytes Page：8 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier This device employs the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State−of−the−art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or as free wheeling and pol 文件：249.27 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRS360T3G_14	文件：117.32 Kbytes Page：7 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier 文件：117.32 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRS360T3G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-214AB，SMC；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 60V 3A SMC	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
MBRS360T3G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
3A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
DO-214AB，SMC
供应商器件封装：
SMC
工作温度 - 结：
-65°C ~ 175°C
描述：
DIODE SCHOTTKY 60V 3A SMC

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更多MBRS360T3G供应商更新时间2025-11-20 10:13:00

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