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MBRS360T3G	文件：141.61 Kbytes Page：7 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS 3.0 AMPERES, 60 VOLTS SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS3.0AMPERES,60VOLTS ThisdeviceemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlay contact.Ideallysuitedforlowvoltage,hi	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MBRS360T3G	文件：245.74 Kbytes Page：8 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier ThisdeviceemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargearea metal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeatures epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlay contact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyrectification,or asfreewheelingandpol	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MBRS360T3G	文件：117.32 Kbytes Page：7 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MBRS360T3G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：DO-214AB，SMC 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 60V 3A SMC	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MBRS360T3G_14	文件：117.32 Kbytes Page：7 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MBR360T3	文件：75.68 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifier SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS3.0AMPERES20,30,40VOLTS ThesedevicesemploytheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforlowvoltage,hi	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
MBRAF360T3G	文件：105.81 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MBRAF360T3G	文件：64.8 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MBRS360T3	文件：51.38 Kbytes Page：4 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS3.0AMPERES20,30,40VOLTS ThesedevicesemploytheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforlowvoltage,hi	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MURS360T3	文件：77.36 Kbytes Page：6 Pages	SurfaceMountUltrafastPowerRectifiers	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MURS360T3	文件：107.97 Kbytes Page：4 Pages	ULTRAFASTRECTIFIERS3.0AMPERES200-600VOLTS SurfaceMountUltrafastPowerRectifiers ...employingstate–of–the–artepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforhighvoltage,highfrequencyrectification,orasfreewheelingandprotectiondiodes,insurfacemountapplicationswherecompact	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
MURS360T3G	文件：77.36 Kbytes Page：6 Pages	SurfaceMountUltrafastPowerRectifiers	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MURS360T3G	文件：75.28 Kbytes Page：6 Pages	SurfaceMountUltrafastPowerRectifiers	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NRTSAF360T3G	文件：59.64 Kbytes Page：5 Pages	Trench-basedSchottkyRectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NRVBAF360T3G	文件：64.8 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
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NRVBS360T3G	文件：141.61 Kbytes Page：7 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS3.0AMPERES,60VOLTS SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS3.0AMPERES,60VOLTS ThisdeviceemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlay contact.Ideallysuitedforlowvoltage,hi	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
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产品属性

产品编号：
MBRS360T3G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
3A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
DO-214AB，SMC
供应商器件封装：
SMC
工作温度 - 结：
-65°C ~ 175°C
描述：
DIODE SCHOTTKY 60V 3A SMC

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