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MBT35200MT1G

High Current Surface Mount PNP Silicon

High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Load Management in Portable Applications Features • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements • These Devices are Pb−Free, Haloge

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ONSEMI

安森美半导体

MBT35200MT1G

High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor

文件:115.4 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MBT35200MT1G

High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Load Management in Portable Applications

文件:64.66 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MBT35200MT1G

双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Low Saturation

ONSEMI

安森美半导体

MBT35200MT1G

Package:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 35V 2A 6TSOP

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    MBT35200MT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    310mV @ 20mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 1.5A,1.5V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

  • 供应商器件封装:

    6-TSOP

  • 描述:

    TRANS PNP 35V 2A 6TSOP

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多MBT35200MT1G供应商 更新时间2025-10-12 16:36:00