15 Amp Schottky Barrier Rectifier 20 to 100 Volts

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MCC

15.0 AMPS. Schottky Barrier Rectifiers

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TSC

台湾半导体

Planar Schottky Diode

The MBR150 employs the 1.0A Schottky Barrier principlein a large area metal−to−silicon power diode. , it uses UTC’sadvancedState−of−the−art geometry epitaxialconstruction with oxide passivation and metal overlap contact.Ideally suited for use as rectifiers in low voltage, highfrequency inverters, free wheeling diodes, and polarityprotection diodes. FEATURES  Low Reverse Current Low Stored Charge, Majority Carrier Conduction Low Power Loss/High E;

UTC

友顺

桥式整流器

MBR/IF:15A/ Vol:50V/ VF@IF:7.5A=>1.1V/ Tj:-55~150℃/

HY

虹扬科技

桥式整流器

MBRW/IF:15A/ Vol:50V/ VF@IF:7.5A=>1.1V/ Tj:-55~150℃/

HY

虹扬科技

Package：DO-204AL，DO-41，轴向；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：DIODE SCHOTTKY 50V 1A AXIAL

ONSEMI

安森美半导体

Package：DO-204AL，DO-41，轴向；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：DIODE SCHOTTKY 50V 1A AXIAL

ONSEMI

安森美半导体

Package：DO-204AL，DO-41，轴向；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：DIODE SCHOTTKY 50V 1A AXIAL

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安森美半导体