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MBR150G	文件：67.47 Kbytes Page：5 Pages	Axial Lead Rectifiers The MBR150/160 series employs the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State−of−the−art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlap contact. Ideally suited for use as rectifiers in low−voltage, high−frequency inverters, free 文件：67.47 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBR150G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-204AL，DO-41，轴向；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 50V 1A AXIAL	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBR150RL	文件：67.47 Kbytes Page：5 Pages	Axial Lead Rectifiers The MBR150/160 series employs the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State−of−the−art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlap contact. Ideally suited for use as rectifiers in low−voltage, high−frequency inverters, free 文件：67.47 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBR150RLG	文件：67.47 Kbytes Page：5 Pages	Axial Lead Rectifiers The MBR150/160 series employs the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State−of−the−art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlap contact. Ideally suited for use as rectifiers in low−voltage, high−frequency inverters, free 文件：67.47 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBR150TR	文件：120.8 Kbytes Page：6 Pages	Schottky Rectifier, 1 A 文件：120.8 Kbytes 页数：6 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay

产品属性

产品编号：
MBR150G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
1A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装：
轴向
工作温度 - 结：
-65°C ~ 150°C
描述：
DIODE SCHOTTKY 50V 1A AXIAL

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更多MBR150G供应商更新时间2025-12-13 9:10:00

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