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LP8900TLE-AAAHSLASHNOPB	文件：667.85 Kbytes Page：23 Pages	LP8900 200-mA Ultra-Low-Noise Dual LDO For RF and Analog Circuits 1 Features 1• Input Voltage Operation: 1.8 V to 5.5 V • Output Voltage: 1.2 V to 3.6 V • Accuracy Over Temperature: 1% • Output Voltage Noise: 6 μVRMS • PSRR: 75 dB at 1 kHz • Dropout: 110 mV at 200 mA Load • Quiescent Current: 48 μA per Regulator • Start-Up Time: 80 μs • Stable With 文件：667.85 Kbytes 页数：23 Pages	TI 德州仪器	TI
LP8900TLE-AAEB	文件：667.85 Kbytes Page：23 Pages	LP8900 200-mA Ultra-Low-Noise Dual LDO For RF and Analog Circuits 1 Features 1• Input Voltage Operation: 1.8 V to 5.5 V • Output Voltage: 1.2 V to 3.6 V • Accuracy Over Temperature: 1% • Output Voltage Noise: 6 μVRMS • PSRR: 75 dB at 1 kHz • Dropout: 110 mV at 200 mA Load • Quiescent Current: 48 μA per Regulator • Start-Up Time: 80 μs • Stable With 文件：667.85 Kbytes 页数：23 Pages	TI 德州仪器	TI
LP8900TLE-AAEC	文件：667.85 Kbytes Page：23 Pages	LP8900 200-mA Ultra-Low-Noise Dual LDO For RF and Analog Circuits 1 Features 1• Input Voltage Operation: 1.8 V to 5.5 V • Output Voltage: 1.2 V to 3.6 V • Accuracy Over Temperature: 1% • Output Voltage Noise: 6 μVRMS • PSRR: 75 dB at 1 kHz • Dropout: 110 mV at 200 mA Load • Quiescent Current: 48 μA per Regulator • Start-Up Time: 80 μs • Stable With 文件：667.85 Kbytes 页数：23 Pages	TI 德州仪器	TI
LP8900TLE-AAECSLASHNO.A	文件：667.85 Kbytes Page：23 Pages	LP8900 200-mA Ultra-Low-Noise Dual LDO For RF and Analog Circuits 1 Features 1• Input Voltage Operation: 1.8 V to 5.5 V • Output Voltage: 1.2 V to 3.6 V • Accuracy Over Temperature: 1% • Output Voltage Noise: 6 μVRMS • PSRR: 75 dB at 1 kHz • Dropout: 110 mV at 200 mA Load • Quiescent Current: 48 μA per Regulator • Start-Up Time: 80 μs • Stable With 文件：667.85 Kbytes 页数：23 Pages	TI 德州仪器	TI
LP8900TLE-AAECSLASHNOPB	文件：667.85 Kbytes Page：23 Pages	LP8900 200-mA Ultra-Low-Noise Dual LDO For RF and Analog Circuits 1 Features 1• Input Voltage Operation: 1.8 V to 5.5 V • Output Voltage: 1.2 V to 3.6 V • Accuracy Over Temperature: 1% • Output Voltage Noise: 6 μVRMS • PSRR: 75 dB at 1 kHz • Dropout: 110 mV at 200 mA Load • Quiescent Current: 48 μA per Regulator • Start-Up Time: 80 μs • Stable With 文件：667.85 Kbytes 页数：23 Pages	TI 德州仪器	TI
LP8900TLX-3333SLASHNO.A	文件：667.85 Kbytes Page：23 Pages	LP8900 200-mA Ultra-Low-Noise Dual LDO For RF and Analog Circuits 1 Features 1• Input Voltage Operation: 1.8 V to 5.5 V • Output Voltage: 1.2 V to 3.6 V • Accuracy Over Temperature: 1% • Output Voltage Noise: 6 μVRMS • PSRR: 75 dB at 1 kHz • Dropout: 110 mV at 200 mA Load • Quiescent Current: 48 μA per Regulator • Start-Up Time: 80 μs • Stable With 文件：667.85 Kbytes 页数：23 Pages	TI 德州仪器	TI
LP8900TLX-3333SLASHNOPB	文件：667.85 Kbytes Page：23 Pages	LP8900 200-mA Ultra-Low-Noise Dual LDO For RF and Analog Circuits 1 Features 1• Input Voltage Operation: 1.8 V to 5.5 V • Output Voltage: 1.2 V to 3.6 V • Accuracy Over Temperature: 1% • Output Voltage Noise: 6 μVRMS • PSRR: 75 dB at 1 kHz • Dropout: 110 mV at 200 mA Load • Quiescent Current: 48 μA per Regulator • Start-Up Time: 80 μs • Stable With 文件：667.85 Kbytes 页数：23 Pages	TI 德州仪器	TI
LP8900_15	文件：1.06743 Mbytes Page：23 Pages	LP8900 Ultra-Low-Noise, Dual 200-mA Linear Regulator For RF and Analog Circuits 文件：1.06743 Mbytes 页数：23 Pages	TI 德州仪器	TI
LP8900TLE_3333	文件：351.04 Kbytes Page：14 Pages	Ultra Low Noise, Dual 200mA Linear Regulator for RF/Analog Circuits 文件：351.04 Kbytes 页数：14 Pages	NSC 国半	NSC
LP8900TLE_AAAH	文件：351.04 Kbytes Page：14 Pages	Ultra Low Noise, Dual 200mA Linear Regulator for RF/Analog Circuits 文件：351.04 Kbytes 页数：14 Pages	NSC 国半	NSC

技术参数

Iout (Max) (A)：
0.2
Vin (Max) (V)：
5.5
Vin (Min) (V)：
1.8
Vout (Max) (V)：
2.8
Vout (Min) (V)：
1.2
Fixed output options (V)：
1.2
Noise (uVrms)：
6
Iq (Typ) (mA)：
0.085
Thermal resistance θJA (°C/W)：
140
Rating：
Catalog
Load capacitance (Min) (µF)：
1
Regulated outputs (#)：
2
Features：
Enable
Accuracy (%)：
1
PSRR @ 100 KHz (dB)：
45
Dropout voltage (Vdo) (Typ) (mV)：
110
Operating temperature range (C)：
-40 to 125

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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