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LP8900TLE-AAECSLASHNOPB	文件：667.85 Kbytes Page：23 Pages	LP8900 200-mA Ultra-Low-Noise Dual LDO For RF and Analog Circuits 1 Features 1• Input Voltage Operation: 1.8 V to 5.5 V • Output Voltage: 1.2 V to 3.6 V • Accuracy Over Temperature: 1% • Output Voltage Noise: 6 μVRMS • PSRR: 75 dB at 1 kHz • Dropout: 110 mV at 200 mA Load • Quiescent Current: 48 μA per Regulator • Start-Up Time: 80 μs • Stable With 文件：667.85 Kbytes 页数：23 Pages	TI 德州仪器	TI
LP8900TLE-AAECSLASHNOPB	文件：1.11356 Mbytes Page：23 Pages	LP8900 200-mA Ultra-Low-Noise Dual LDO For RF and Analog Circuits 文件：1.11356 Mbytes 页数：23 Pages	TI 德州仪器	TI
LP8900TLX_AAAH	文件：351.04 Kbytes Page：14 Pages	Ultra Low Noise, Dual 200mA Linear Regulator for RF/Analog Circuits 文件：351.04 Kbytes 页数：14 Pages	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LP8900TLX_AACB	文件：351.04 Kbytes Page：14 Pages	Ultra Low Noise, Dual 200mA Linear Regulator for RF/Analog Circuits 文件：351.04 Kbytes 页数：14 Pages	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LP8900TLX_AAEB	文件：351.04 Kbytes Page：14 Pages	Ultra Low Noise, Dual 200mA Linear Regulator for RF/Analog Circuits 文件：351.04 Kbytes 页数：14 Pages	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC

更多LP8900TLE-AAECSLASHNOPB供应商更新时间2025-10-5 23:00:00