LMG3526R030中文资料具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 650V 30mΩ GaN FET数据手册TI规格书

描述 Description

LMG3526R030 GaN FET 具有集成式驱动器和保护功能，适用于开关模式电源转换器，可让设计人员实现更高水平的功率密度和效率。

LMG3526R030 集成了一个硅驱动器，可实现高达 150V/ns 的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比，TI 的集成式精密栅极偏置可实现更高的开关 SOA。这种集成特性与 TI 的低电感封装技术相结合，可在硬开关电源拓扑中提供干净的开关和超小的振铃。可调栅极驱动强度允许将压摆率控制在 20V/ns 至 150V/ns 之间，这可用于主动控制 EMI 并优化开关性能。

高级功能包括数字温度报告、故障检测和零电压检测 (ZVD)。GaN FET 的温度通过可变占空比 PWM 输出进行报告。报告的故障包括过热、过流和 UVLO 监控。ZVD 功能可在实现零电压开关 (ZVS) 时提供来自 ZVD 引脚的脉冲输出。

特性 Features

• 650-V GaN-on-Si FET with integrated gate driver
• 200-V/ns FET hold-off
• 20-V/ns to 150-V/ns slew rate for optimization of switching performance and EMI mitigation
• Robust protection
• Advanced power management
• Top-side cooled 12-mm × 12-mm VQFN package separates electrical and thermal paths for lowest power loop inductance
• Zero voltage detection feature that facilitates soft-switching converters