LMG2652数据手册TI中文资料规格书

描述 Description

LMG2652 是一款 650V 140mΩ GaN 功率 FET 半桥。LMG2652 通过在 6mm x 8mm QFN 封装中集成半桥功率 FET、栅极驱动器、自举二极管和高侧栅极驱动电平转换器，可简化设计、减少元件数量并缩减布板空间。

与传统的电流检测电阻相比，低侧电流检测仿真可降低功耗，并允许将低侧散热焊盘连接到 PCB 电源地进行冷却。

高侧 GaN 功率 FET 可通过低侧参考栅极驱动引脚 (INH) 或高侧参考栅极驱动引脚 (GDH) 进行控制。在具有挑战性的电源开关环境中，高侧栅极驱动信号电平转换器能够可靠地将 INH 引脚信号传输到高侧栅极驱动器。智能开关 GaN 自举 FET 没有二极管正向压降，可避免高侧电源过充，并且反向恢复电荷为零。

LMG2652 具有低静态电流和快速启动时间，可满足转换器轻负载效率要求，并实现突发模式运行。保护特性包括 FET 导通互锁、欠压锁定 (UVLO)、逐周期电流限制和过热关断。

特性 Features

650V GaN 功率 FET 半桥

140mΩ 低侧和高侧 GaN FET

传播延迟低于 100ns 的集成栅极驱动器

具有高带宽和高精度的电流检测仿真

低侧参考 (INH) 和高侧参考 (GDH) 高侧栅极驱动引脚

低侧 (INL)/高侧 (INH) 栅极驱动互锁

高侧 (INH) 栅极驱动信号电平转换器

智能开关自举二极管功能

高侧启动：<8µs

低侧/高侧逐周期过流保护

过热保护

AUX 空闲静态电流：250µA

AUX 待机静态电流：50µA

BST 空闲静态电流：70µA

具有双散热焊盘的 8mm × 6mm QFN 封装