LMG2100R044中文资料具有集成驱动器和保护功能的 100V 4.4mΩ 半桥 GaN FET数据手册TI规格书

描述 Description

LMG2100R044 器件是一款 80V 连续 100V 脉冲式 35A 半桥功率级，具有集成栅极驱动器和增强模式氮化镓 (GaN) FET。该器件包含两个 100V GaN FET，这两者由采用半桥配置的同一高频 80V GaN FET 驱动器进行驱动。

GaN FET 在功率转换方面优势极为显著，因为它们的反向恢复接近零，而且输入电容 C ISS 和输出电容 C OSS 都极小。所有器件均安装在一个完全无键合线的封装平台上，尽可能减少了封装寄生元件数。LMG2100R044 器件采用 5.5mm × 4.5mm × 0.89mm 无铅封装，可轻松安装在 PCB 上。

该器件的输入与 TTL 逻辑兼容，无论 VCC 电压如何，都能够承受高达 12V 的输入电压。专有的自举电压钳位技术确保了增强模式 GaN FET 的栅极电压处于安全的工作范围内。

该器件配有用户友好型接口且更为出色，进一步提升了分立式 GaN FET 的优势。对于需要小尺寸、高频、高效运行的应用来说，该器件是理想的解决方案。

特性 Features

• Integrated 4.4-mΩ GaN FETs and driver
• 80-V continuous, 100-V pulsed voltage rating
• Package optimized for easy PCB layout
• 5-V external bias power supply
• Supports 3.3-V, 5-V and 12-V input logic levels
• High slew rate switching with low ringing
• Gate driver capable of up to 10-MHz switching
• Internal bootstrap supply voltage clamping to prevent GaN FET Overdrive
• Supply rail undervoltage 4lockout protection
• Excellent propagation delay (29.5-ns typical) and matching (2-ns typical)
• Low power consumption
• Exposed top QFN package for top-side cooling
• Large GND pad for bottom-side cooling