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LMG3522R030-Q1中文资料具有集成驱动器、保护和温度报告功能的汽车类 650V 30mΩ GaN FET数据手册TI规格书
LMG3522R030-Q1规格书详情
描述 Description
LMG3522R030-Q1 GaN FET 具有集成式驱动器和保护功能，适用于开关模式电源转换器，可让设计人员实现更高水平的功率密度和效率。
LMG3522R030-Q1 集成了一个硅驱动器，可实现高达 150V/ns 的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比，TI 的集成式精密栅极偏置可实现更高的开关 SOA。这种集成特性与 TI 的低电感封装技术相结合，可在硬开关电源拓扑中提供干净的开关和超小的振铃。可调栅极驱动强度允许将压摆率控制在 20V/ns 至 150V/ns 之间，这可用于主动控制 EMI 并优化开关性能。
高级电源管理功能包括数字温度报告和故障检测。GaN FET 的温度通过可变占空比 PWM 输出进行报告，这可简化器件加载管理。报告的故障包括过热、过流和 UVLO 监控。
特性 Features
• 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
• 符合面向硬开关拓扑的 JEDEC JEP180 标准
• 集成高精度栅极偏置电压
• 2.2MHz 开关频率
• 由 12V 非稳压电源供电
• 强大的保护
• 硬开关时可承受 720V 浪涌
• 高级电源管理
• 理想二极管模式可减少 LMG3525R030-Q1 中的第三象限损耗
• 顶部冷却 12mm × 12mm VQFN 封装将电气路径和散热路径分开，可实现更低的电源环路电感
技术参数
- 制造商编号
：LMG3522R030-Q1
- 生产厂家
：TI
- RDS(on) (mΩ)
：30
- ID (max) (A)
：55
- Features
：Cycle-by-cycle overcurrent protection
- Rating
：Automotive
- Operating temperature range (°C)
：-40 to 150
- 封装
：VQFN (RQS)
- 引脚
：52
- 尺寸
：144 mm² 12 x 12
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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