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LMG3522R030-Q1

LMG3522R030 650-V 30-mΩ GaN FET With Integrated Driver, Protection, and Temperature Reporting

1Features •650-VGaN-on-SiFETwithintegratedgatedriver –Integratedhighprecisiongatebiasvoltage –200-V/nsFEThold-off –2-MHzswitchingfrequency –20-V/nsto150-V/nsslewrateforoptimization ofswitchingperformanceandEMImitigation –Operatesfrom7.5-Vto18-Vsupply •

TITexas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

LMG3522R030-Q1

LMG3522R030-Q1 650-V 30-mΩ GaN FET With Integrated Driver, Protection, and Temperature Reporting

1Features •AEC-Q100qualifiedforautomotiveapplications –Temperaturegrade1:–40°Cto+125°C,TA –Junctiontemperature:–40°Cto+150°C,TJ •650-VGaN-on-SiFETwithintegratedgatedriver –Integratedhighprecisiongatebiasvoltage –200-V/nsFEThold-off –2-MHzswitchingfreque

TI1Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

LMG3522R030-Q1

具有集成驱动器、保护和温度报告功能的汽车类 650V 30mΩ GaN FET; • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准 \n• 温度等级 1:-40 °C 至 +125 °C,TJ \n \n• 符合面向硬开关拓扑的 JEDEC JEP180 标准\n• 带集成栅极驱动器的 650-V GaN-on-Si FET \n• 集成高精度栅极偏置电压\n• 200V/ns CMTI\n• 2.2MHz 开关频率\n• 30V/ns 至 150V/ns 压摆率,用于优化开关性能和缓解 EMI\n• 由 12V 非稳压电源供电\n \n• 强大的保护 \n• 响应时间少于 100ns 的逐周期过流和锁存短路保护\n• 硬开关时可承受 720V 浪涌\n• 针对内部过热和 UVLO 监控的自我保护\n \n• 高级电源管理 \n• 数字温度 PWM 输出\n• 理想二极管模式可减少 LMG3525R030-Q1 中的第三象限损耗\n \n• 顶部冷却 12mm × 12mm VQFN 封装将电气路径和散热路径分开,可实现更低的电源环路电感;

LMG3522R030-Q1 GaN FET 具有集成式驱动器和保护功能,适用于开关模式电源转换器,可让设计人员实现更高水平的功率密度和效率。\n\n LMG3522R030-Q1 集成了一个硅驱动器,可实现高达 150V/ns 的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比,TI 的集成式精密栅极偏置可实现更高的开关 SOA。这种集成特性与 TI 的低电感封装技术相结合,可在硬开关电源拓扑中提供干净的开关和超小的振铃。可调栅极驱动强度允许将压摆率控制在 20V/ns 至 150V/ns 之间,这可用于主动控制 EMI 并优化开关性能。\n\n高级电源管理功能包括数字温度报告和故障检测。GaN FET 的温度通过可变占空比 PWM 输出进行报告,这可简化器件加载管理。报告的故障包括过热、过流和 UVLO 监控。

TITexas Instruments

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LMG3522R030-Q1

LMG352xR030-Q1 650-V 30-m廓 GaN FET with Integrated Driver, Protection, and Temperature Reporting

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LMG3522R030-Q1_V01

LMG3522R030-Q1 650-V 30-mΩ GaN FET With Integrated Driver, Protection, and Temperature Reporting

1Features •AEC-Q100qualifiedforautomotiveapplications –Temperaturegrade1:–40°Cto+125°C,TA –Junctiontemperature:–40°Cto+150°C,TJ •650-VGaN-on-SiFETwithintegratedgatedriver –Integratedhighprecisiongatebiasvoltage –200-V/nsFEThold-off –2-MHzswitchingfreque

TI1Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

技术参数

  • RDS(on) (mΩ):

    30

  • ID (max) (A):

    55

  • Features:

    Cycle-by-cycle overcurrent protection

  • Rating:

    Automotive

  • Operating temperature range (°C):

    -40 to 150

  • 封装:

    VQFN (RQS)

  • 引脚:

    52

  • 尺寸:

    144 mm² 12 x 12

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多LMG3522R030-Q1供应商 更新时间2025-7-29 15:01:00