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LMG3522R030-Q1 650-V 30-mΩ GaN FET With Integrated Driver, Protection, and Temperature Reporting

1Features •AEC-Q100qualifiedforautomotiveapplications –Temperaturegrade1:–40°Cto+125°C,TA –Junctiontemperature:–40°Cto+150°C,TJ •650-VGaN-on-SiFETwithintegratedgatedriver –Integratedhighprecisiongatebiasvoltage –200-V/nsFEThold-off –2-MHzswitchingfreque

TI1Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

TI1

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