LMG3100R017中文资料具有集成驱动器的 100V 1.7mΩ GaN FET数据手册TI规格书

描述 Description

LMG3100 器件是一款具有集成驱动器的 90V、97A 氮化镓 (GaN)。该器件包含一个由高频 GaN FET 驱动器驱动的 100V GaN FET。LMG3100 包含一个高侧电平转换器和自举电路，因此可以使用两个 LMG3100 器件形成半桥，而无需额外的电平转换器。

GaN FET 在功率转换方面优势极为显著，因为它们的反向恢复接近零，而且输入电容 CISS 和输出电容 COSS 都极小。所有器件均安装在一个完全无键合线的封装平台上，尽可能减少了封装寄生元件数。LMG3100 器件采用 6.5mm × 4mm × 0.89mm 无铅封装，可轻松安装在 PCB 上。

无论 VCC 电压如何，TTL 逻辑兼容输入均可支持 3.3V 和 5V 逻辑电平。专有的自举电压钳位技术确保了增强模式 GaN FET 的栅极电压处于安全的工作范围内。

该器件配有用户友好型接口且更为出色，进一步提升了分立式 GaN FET 的优势。对于需要小尺寸、高频、高效运行的应用来说，该器件是理想的解决方案。

特性 Features

集成了 1.7mΩ GaN FET 和驱动器

集成了高侧电平转换和自举

两个 LGM3100 可构成一个半桥

无需外部电平转换器



90V 连续 100V 脉冲式电压额定值

封装经过优化，便于 PCB 布局

5V 外部辅助电源

支持 3.3V 和 5V 输入逻辑电平

高压摆率开关，低振铃

栅极驱动器支持高达 10MHz 的开关频率

内部自举电源电压钳位，可防止 GaN FET 过驱动

电源轨欠压锁定保护

出色的传播延迟（典型值 29.5ns）和匹配（典型值 12ns）

低功耗

用于连接散热器的外露式顶部 QFN 封装