High Voltage 1-A Peak Half-Bridge Gate Driver

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具有 8V UVLO 和高噪声抗扰度的 1A、100V 半桥栅极驱动器

LM5109B 器件是一款经济高效的高电压栅极驱动器，专为驱动采用同步降压或半桥配置的高侧和低侧 N 沟道 MOSFET 而设计。悬空高侧驱动器能够在高达 90V 的电源轨电压下工作。输出通过经济高效的 TTL 和 CMOS 兼容输入阈值独立控制。稳健可靠的电平转换技术同时拥有高运行速度和低功耗特性，并且可提供从控制输入逻辑到高侧栅极驱动器的干净电平转换。该器件在低侧和高侧电源轨上提供了欠压锁定功能。该器件采用 8 引脚 SOIC 和耐热增强型 8 引脚 WSON 封装。 • 可驱动高侧和低侧 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)\n• 1A 峰值输出电流（1.0A 灌电流和 1.0A 拉电流）\n• 与独立的晶体管-晶体管逻辑电路 (TTL) 和互补金属氧化物半导体 (CMOS) 兼容的输入\n• 自举电源电压高达 108VDC\n• 短暂传播时间（典型值为 30ns）\n• 可以 15ns 的上升和下降时间驱动 1000pF 负载\n• 优异的传播延迟匹配（典型值为 2ns)\n• 支持电源轨欠压锁定\n• 低功耗\n• 8 引脚小外形尺寸集成电路 (SOIC) 和耐热增强型 8 引脚晶圆级小外形无引线 (WSON) 封装;

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具有 8V UVLO 和高抗扰度的汽车类 1A、100V 半桥栅极驱动器

LM5109B-Q1 是一款具有成本效益的高电压栅极驱动器，设计用于驱动采用同步降压或半桥配置的高侧和低侧 N 沟道 MOSFET。悬空高侧驱动器能够在高达 90V 的电源轨电压下工作。输出通过兼容 TTL/CMOS 的逻辑输入阈值独立控制。稳健可靠的电平转换技术同时拥有高运行速度和低功耗特性，并且可提供从控制输入逻辑到高侧栅极驱动器的干净电平转换。该器件在低侧和高侧电源轨上提供了欠压锁定功能。该器件采用耐热增强型 WSON(8) 封装。 • 符合汽车类 应用标准\n• 器件温度 1 级 \n• 器件组件充电模型 (CDM) ESD 分类等级 C4A\n• 可驱动高侧和低侧 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)\n• 独立的晶体管-晶体管逻辑电路/互补金属氧化物半导体 (TTL/CMOS) 兼容输入\n• 短暂传播时间（典型值为 30ns）\n• 优异的传播延迟匹配（典型值为 2ns)\n• 低功耗\n• 耐热增强型晶圆级小外形无引线 (WSON)-8 封装;

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Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：管件 类别：集成电路（IC） 栅极驱动器 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR） 类别：集成电路（IC） 栅极驱动器 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：集成电路（IC） 栅极驱动器 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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